Ապրանքի անվանումը Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB հիշողություն (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0 - CH9 M378B5263DH1) Արտադրող Samsung Electronics Արտադրման երկիր Չինաստան Կառուցման տարի/շաբաթ 2010/38 Տվյալների հզորություն 2 ԳԲ Ժամացույցի արագություն 1333 ՄՀց (PC3-10600) Առանձնահատկություններ 240 պին, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Արտադրության գործընթացի տեխնոլոգիա 40 նմ Տվյալների բիթ x64 Ներքին մոդուլի բանկեր 8 Տվյալների չիպի կազմը [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 չիպսեր […]

Շատ հիմնական տախտակներ, աջակցում էր վաղ pentium պրոցեսորին, սովորաբար ուներ համաժամեցված քեշի հիշողության չիպեր՝ որպես CPU L2 քեշ. Այս համաժամացման քեշի մոդուլը(Ափ; Քեշը փայտիկի վրա) արտաքին հիշողության մոդուլ է, որն օգտագործվում է որպես լրացուցիչ CPU L2 քեշ. Այն առավելագույնի է հասցնում պրոցեսորի արդյունավետությունը, մինչ պրոցեսորը սպասում է հրահանգների կամ տվյալների. L2 քեշը օգտագործվում է շահագործման համար […]

A-DATA Viesta DDR600 Viesta հիշողություն, DDR SDRAM հիշողության մոդուլներում, Samsung TCCD հիշողության չիպերի միջոցով առաջին անգամ ձեռք բերեց 600 ՄՀց ժամացույցի արագություն. A-data Viesta-ի տվյալների հզորությունը եղել է 512 ՄԲ կամ 256 ՄԲ. Այն հիմնականում օգտագործվում էր ovcclocking-ի համար.   Ապրանքի անվանումը A-DATA Vitesta DDR600 512MB Մասի համարը MDOSSLF3H47A0B1G0Z Արտադրող A-DATA Արտադրման երկիրը Թայվան Ստեղծման տարեթիվը 2004 Առանձնահատկություններ 184pin Unbuffer […]

KMM591000AN-7-ը բաղկացած է երկու KM44C1000AJ-7 չիպից և մեկ KM44C1000CJ-7 չիպից. KMM591000BN-7-ը կազմված է երկու KM44C1000BJ-7 չիպերով և մեկ KM44C1000CJ-7 չիպով. Դրանք 1MB DRAM SIMM-ներ են, որոնք արտադրվել են Samsung Electronics-ի կողմից. Արտադրող ընկերություն : Samsung Electronics Արտադրման տարին : 1992 / 1993 Արտադրման երկիր : Հարավային Կորեայի մոդուլի առանձնահատկությունները : 30քորոց, SIMM, RAM-ի հավասարաչափ հիշողության հզորություն […]

ապրանքային անուն : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Մասի համարը : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Արտադրող : ELPIDA Արտադրման երկիր : Թայվանի կառուցման տարի/շաբաթ : 2010/38 Ձևի գործոն : DDR3 SO-DIMM-ի առանձնահատկությունները : 204քորոց, Ոչ ECC հիշողության հզորություն : 2ԳԲ տվյալների առավելագույն արագություն : 1333Մբիթ/վ լարում : 1.5V Կազմակերպություն : 256M բառեր × 64 բիթ, 2 զբաղեցնում է Chip Composition-ը : J1108BFBG-DJ-F […]