Termék neve Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB Memória (1RX8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Gyártó Samsung Electronics gyártó ország Kína Építőanyag év / hét 2010/38 Adatok Kapacitás 2GB órajel 1333 MHz-es (PC3-10600) Jellemzők 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM termelés technológiai folyamat 40nm Adatbitek x64 belső modul bankok 8 Adatok chip készítmény [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 hasábburgonya […]

termék név : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 cikkszám : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Gyártó : ELPIDA Gyártó ország : Tajvan építési éve / hét : 2010/38 Form Factor : DDR3 SO-DIMM funkciók : 204tű, Nem ECC memóriakapacitás : 2GB maximális adatsebesség : 1333Mbps feszültség : 1.5V. Szervezet : 256M szavak × 64 bit, 2 rangsorolja a chipkompozíciót : J1108BFBG-DJ-F […]

Az EDO DRAM rendelkezik ideiglenes memóriaterülettel a gyorsabb adat-I / O-hoz. Akkor hatékony, ha a rendszer nem tudja fogadni a gyorsítótár memóriáját. De ha a rendszernek van gyorsítótára, az EDO DRAM hatása csekély. Gyártó : Hyundai Electronics Industries Co., Kft. Építsd év / hét : 1997/32 A gyártó ország : Korea (Dél-Korea) Cikkszám […]

Ez a SIMM arany színnel bevont. Ennek a SIMM-nek a bevonat színe és a táblája eltér a GM71C4400A-val ellátott SIMM-től. A GM71C4400B 1M × 4bit. A GM71C1000B pedig 1M × 4bit. A SIMM memória kapacitása és funkciója nem különbözik a GM71C4400A és GM71C1000 SIMM-től. Gyártás […]

Goldstar a védjegye Goldstar Electron Co., Kft. Ez megváltoztatta a nevét LG Semiconductor (LG Semicon) nál nél 1995, és beolvadt Hyundai elektronikai ipar (Hynix most) nál nél 1999. Gyártó cég : Goldstar Electron Ipari év: 1993 A gyártó ország : Dél-Korea modul Jellemzők : 30tű, DRAM, SIMM, paritás RAM […]