सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने जुलाई में 30nm प्रक्रिया प्रौद्योगिकी का उपयोग करके DDR3 SDRAM मॉड्यूल जारी किया 2010. यह रैम मॉड्यूल 40nm प्रोसेस टेक्नोलॉजी द्वारा बनाया गया था. Product name Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2RX8, पीसी3-10600एस-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) Manufacturer Samsung Electronics (सेकंड) Country of manufacture China Build year/week 2011/13 Data Capacity 4GB Clock speed 1333Mhz (PC3-10600) मेमोरी टाइमिंग […]

उत्पादक : हुंडई इलेक्ट्रॉनिक्स इंडस्ट्रीज कंपनी, लिमिटेड. निर्माण वर्ष : 1994 विनिर्माता देश : दक्षिण कोरिया भाग संख्या : HYM532100AM-70 फॉर्म फैक्टर : SIMM मेमोरी प्रकार : ईडीओ डीआरएएम मेमोरी क्षमता : 4एमबी बस प्रकार : तेज़ पेज मेमोरी (एफ पी एम) त्रुटि सुधार : गैर-समता पिन : 72पिन बैंडविड्थ : 32बिट विलंबता : 70एनएस (Trac) वोल्टेज […]

प्रोडक्ट का नाम : Samsung SDRAM 32MB PC66 Part number : KMM366S403BTN-G0 Manufacturer : सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स (सेकंड) विनिर्माता देश : दक्षिण कोरिया निर्माण वर्ष/सप्ताह : 1997/33 डेटा क्षमता : 32एमबी क्लॉक स्पीड : 66मेगाहर्टज (पीसी66) विशेषताएं : 168पिन, Unbuffered Non-ECC SDRAM DIMM Data chip composition : [KM48S2020BT-G10] ✕ 16 chips VDD : 3.3वी

प्रोडक्ट का नाम : सैमसंग डीडीआर एसडीआरएएम 512एमबी पीसी3200 (गैर-असली हिस्से) भाग संख्या : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC निर्माता : सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स (सेकंड) विनिर्माता देश : दक्षिण कोरिया निर्माण वर्ष/सप्ताह : 2003/33 डेटा क्षमता : 512एमबी क्लॉक स्पीड : 400मेगाहर्टज (पीसी3200) विशेषताएं : 184पिन, अनबफ़र्ड गैर-ईसीसी डीडीआर एसडीआरएएम डीआईएमएम डेटा चिप संरचना : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 चिप्स डेटा […]

प्रोडक्ट का नाम : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 Manufacturer : EKmemory Country of manufacture : South Korea Data Capacity : 2GB Clock speed : 1333मेगाहर्टज (PC3-10600) विशेषताएं : 240पिन, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Data chip composition : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 chips VDD voltage : 1.5V Homepage : एचटीटीपी://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id=dram&no=91