एसके टेलीकॉम के लिए सैमसंग गैलेक्सी एस4 एसएचवी-ई330एस अप्रैल में जारी किया गया था 2013. यह दो रंगों में उपलब्ध है, ब्लू आर्कटिक और रेड ऑरोरा कलर स्कीम. एसके टेलीकॉम(संस्कृत) ने कहा कि एलटीई एडवांस्ड एस4 अपने बुनियादी ढांचे में 150 एमबीपीएस तक की नेटवर्क गति तक पहुंचने में सक्षम है. उत्पाद मॉडल गैलेक्सी एस4 एलटीई-ए (एसएचवी-330S) (सैमसंग गैलेक्सी एस4 4जी एलटीई-ए […]

सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने जुलाई में 30nm प्रक्रिया प्रौद्योगिकी का उपयोग करके DDR3 SDRAM मॉड्यूल जारी किया 2010. यह रैम मॉड्यूल 40nm प्रोसेस टेक्नोलॉजी द्वारा बनाया गया था. Product name Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2RX8, पीसी3-10600एस-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) Manufacturer Samsung Electronics (सेकंड) Country of manufacture China Build year/week 2011/13 Data Capacity 4GB Clock speed 1333Mhz (PC3-10600) मेमोरी टाइमिंग […]

प्रोडक्ट का नाम : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 Manufacturer : EKmemory Country of manufacture : South Korea Data Capacity : 2GB Clock speed : 1333मेगाहर्टज (PC3-10600) विशेषताएं : 240पिन, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Data chip composition : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 chips VDD voltage : 1.5V Homepage : एचटीटीपी://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id=dram&no=91

Product name Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB Memory (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Manufacturer Samsung Electronics Country of manufacture China Build year/week 2010/38 Data Capacity 2GB Clock speed 1333Mhz (PC3-10600) Features 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Production process technology 40nm Data bits x64 Internal Module banks 8 डेटा चिप संरचना [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 chips […]