उत्पादक : हुंडई इलेक्ट्रॉनिक्स इंडस्ट्रीज कंपनी, लिमिटेड. निर्माण वर्ष : 1994 विनिर्माता देश : दक्षिण कोरिया भाग संख्या : HYM532100AM-70 फॉर्म फैक्टर : SIMM मेमोरी प्रकार : ईडीओ डीआरएएम मेमोरी क्षमता : 4एमबी बस प्रकार : तेज़ पेज मेमोरी (एफ पी एम) त्रुटि सुधार : गैर-समता पिन : 72पिन बैंडविड्थ : 32बिट विलंबता : 70एनएस (Trac) वोल्टेज […]

प्रोडक्ट का नाम : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 Manufacturer : EKmemory Country of manufacture : South Korea Data Capacity : 2GB Clock speed : 1333मेगाहर्टज (PC3-10600) विशेषताएं : 240पिन, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Data chip composition : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 chips VDD voltage : 1.5V Homepage : एचटीटीपी://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id=dram&no=91

KMM591000AN-7 is composed two KM44C1000AJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. KMM591000BN-7 is composed with two KM44C1000BJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. They are 1MB DRAM SIMMs produced by Samsung Electronics. निर्माण कंपनी : Samsung Electronics Manufactured Year : 1992 / 1993 विनिर्माता देश : South Korea Module Features : 30पिन, SIMM, Parity RAM Memory Capacity […]

EDO DRAM में तेज़ डेटा I/O के लिए अस्थायी मेमोरी स्पेस है. यह तब प्रभावी होता है जब सिस्टम कैश मेमोरी समर्थन प्राप्त नहीं कर पाता है. लेकिन अगर सिस्टम में कैश मेमोरी है, EDO DRAM का प्रभाव कम होता है. उत्पादक : हुंडई इलेक्ट्रॉनिक्स इंडस्ट्रीज कंपनी, लिमिटेड. वर्ष / सप्ताह का निर्माण करें : 1997/32 विनिर्माता देश : कोरिया (दक्षिण कोरिया) भाग संख्या […]

यह रैम हुंडई इलेक्ट्रॉनिक्स उद्योग द्वारा उत्पादित 30-पिन 1 एमबी सिम है(अब के Hynix). 30-पिन SIMM का उपयोग सार्वभौमिक रूप से किया गया था 80286 सेवा 80486. यदि चिप्स की संख्या विषम संख्या है, चिप्स में से एक समता की जाँच करता है. यह रैम दो HY514400A से बना है(1एम एक्स 4 बिट) और एक HY531000A(1एम एक्स 1bit). की स्मृति क्षमता […]