Product name Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB Memory (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Manufacturer Samsung Electronics Country of manufacture China Build year/week 2010/38 Data Capacity 2GB Clock speed 1333Mhz (PC3-10600) Features 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Production process technology 40nm Data bits x64 Internal Module banks 8 डेटा चिप संरचना [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 chips […]

ए-डेटा विएस्टा डीडीआर600 विएस्टा मेमोरी, डीडीआर एसडीआरएएम मेमोरी मॉड्यूल में, सबसे पहले सैमसंग टीसीसीडी मेमोरी चिप्स के साथ 600 मेगाहर्ट्ज क्लॉक स्पीड हासिल की. ए-डेटा विएस्टा की डेटा क्षमता 512MB या 256MB थी. इसका उपयोग अधिकतर ओवक्रक्लॉकिंग के लिए किया जाता था.   उत्पाद का नाम A-DATA Vitesta DDR600 512MB भाग संख्या MDOSSLF3H47A0B1G0Z निर्माता A-DATA निर्माण का देश ताइवान निर्माण वर्ष 2004 विशेषताएं 184पिन अनबफ़र […]

KMM591000AN-7 is composed two KM44C1000AJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. KMM591000BN-7 is composed with two KM44C1000BJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. They are 1MB DRAM SIMMs produced by Samsung Electronics. निर्माण कंपनी : Samsung Electronics Manufactured Year : 1992 / 1993 विनिर्माता देश : South Korea Module Features : 30पिन, SIMM, Parity RAM Memory Capacity […]

उत्पाद का नाम : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Part Number : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Manufacturer : ELPIDA Country of manufacture : Taiwan Build Year/Week : 2010/38 बनाने का कारक : DDR3 SO-DIMM Features : 204पिन, Non-ECC Memory Capacity : 2GB Max Data Rate : 1333Mbps Voltage : 1.5V Organization : 256एम शब्द × 64 बिट्स, 2 ranks Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]

EDO DRAM में तेज़ डेटा I/O के लिए अस्थायी मेमोरी स्पेस है. यह तब प्रभावी होता है जब सिस्टम कैश मेमोरी समर्थन प्राप्त नहीं कर पाता है. लेकिन अगर सिस्टम में कैश मेमोरी है, EDO DRAM का प्रभाव कम होता है. उत्पादक : हुंडई इलेक्ट्रॉनिक्स इंडस्ट्रीज कंपनी, लिमिटेड. वर्ष / सप्ताह का निर्माण करें : 1997/32 विनिर्माता देश : कोरिया (दक्षिण कोरिया) भाग संख्या […]