יַצרָן : LG Semicon Co., בע"מ. ארץ הייצור : מספר חלק של דרום קוריאה : ? גורם צורה : תכונות SIMM : 72פִּין, EDO DRAM, קיבולת זיכרון לא זוגית : 16רוחב פס של MB : 32קצת מהירות : 60ns(tRAC) מתח : 5V שבב הרכב : GM71C17400CJ6 × 8 בניית שבב שנה/שבוע : 1998/27 קיבולת שבב אחד : 4M […]

יַצרָן : Hyundai Electronics Industries Co., בע"מ. Build Year : 1994 ארץ הייצור : מספר חלק של דרום קוריאה : HYM532100AM-70 Form Factor : SIMM Memory type : EDO DRAM Memory Capacity : 4MB Bus type : Fast Page Memory (FPM) Error correction : Non-parity Pins : 72pin Bandwidth : 32bit Latency : 70ns (tRAC) מתח […]

KMM591000AN-7 is composed two KM44C1000AJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. KMM591000BN-7 is composed with two KM44C1000BJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. They are 1MB DRAM SIMMs produced by Samsung Electronics. Manufacturing Company : Samsung Electronics Manufactured Year : 1992 / 1993 ארץ הייצור : South Korea Module Features : 30פִּין, SIMM, Parity RAM Memory Capacity […]

EDO DRAM has temporary memory space for faster data I/O. It is effective when the system cannot receive cache memory support. But if the system has cache memory, the effect of EDO DRAM is little. יַצרָן : Hyundai Electronics Industries Co., בע"מ. Build Year/Week : 1997/32 ארץ הייצור : קוריאה (דרום קוריאה) מספר חלק […]