Fabricante : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Construír ano : 1994 País de fabricación : Número de parte de Corea do Sur : Factor de forma HYM532100AM-70 : Tipo de memoria SIMM : Capacidade de memoria Edo Dram : 4Tipo de autobús MB : Memoria de páxina rápida (FPM) Corrección de erros : Pines non pares : 72Pin ancho de banda : 32Latencia de bits : 70ns (tRAC) Voltaxe […]

Nome do produto : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 Fabricante : EKmemory País de fabricación : Capacidade de datos de Corea do Sur : 2GB Velocidade de reloxo : 1333Mhz (PC3-10600) características : 240alfinete, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Composición do chip de datos : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 voltaxe VDD de chips : 1.5V Páxina de inicio : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id=drama&non = 91

KMM591000AN-7 está composto por dous chips KM44C1000AJ-7 e un chip KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 está composto por dous chips KM44C1000BJ-7 e un chip KM44C1000CJ-7. Son SIMM de DRAM de 1 MB producidos por Samsung Electronics. Empresa Manufacturera : Ano de fabricación de Samsung Electronics : 1992 / 1993 País de fabricación : Características do módulo de Corea do Sur : 30alfinete, SIMM, Capacidade de memoria RAM de paridade […]

EDO DRAM ten espazo de memoria temporal para unha E/S de datos máis rápida. É eficaz cando o sistema non pode recibir soporte de memoria caché. Pero se o sistema ten memoria caché, o efecto da EDO DRAM é pouco. Fabricante : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Ano/Semana de construción : 1997/32 País de fabricación : Corea (Corea do sur) Número de peza […]

Esta memoria RAM é SIMM de 30 pines 1MB producida pola industria Hyundai Electronics(Hynix de agora). 30-os PIN SIMM usáronse universalmente desde 80286 a 80486. Se o número de fichas é impar, unha das fichas realiza a comprobación de paridade. Esta memoria RAM está composta por dous HY514400A(1M x 4 bits) e un HY531000A(1M x 1 bit). A capacidade de memoria de […]