Fabricante : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Build Year : 1994 País de fabricación : South Korea Part Number : HYM532100AM-70 Form Factor : SIMM Memory type : EDO DRAM Memory Capacity : 4MB Bus type : Fast Page Memory (FPM) Error correction : Non-parity Pins : 72pin Bandwidth : 32bit Latency : 70ns (tRAC) Voltaxe […]

Nome do produto : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 Manufacturer : EKmemory Country of manufacture : South Korea Data Capacity : 2GB Clock speed : 1333Mhz (PC3-10600) características : 240alfinete, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Data chip composition : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 chips VDD voltage : 1.5V Homepage : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id=dram&no=91

KMM591000AN-7 is composed two KM44C1000AJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. KMM591000BN-7 is composed with two KM44C1000BJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. They are 1MB DRAM SIMMs produced by Samsung Electronics. Empresa Manufacturera : Samsung Electronics Manufactured Year : 1992 / 1993 País de fabricación : South Korea Module Features : 30alfinete, SIMM, Parity RAM Memory Capacity […]

EDO DRAM ten espazo de memoria temporal para unha E/S de datos máis rápida. É eficaz cando o sistema non pode recibir soporte de memoria caché. Pero se o sistema ten memoria caché, o efecto da EDO DRAM é pouco. Fabricante : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Ano/Semana de construción : 1997/32 País de fabricación : Corea (Corea do sur) Número de peza […]

Esta memoria RAM é SIMM de 30 pines 1MB producida pola industria Hyundai Electronics(Hynix de agora). 30-os PIN SIMM usáronse universalmente desde 80286 a 80486. Se o número de fichas é impar, unha das fichas realiza a comprobación de paridade. Esta memoria RAM está composta por dous HY514400A(1M x 4 bits) e un HY531000A(1M x 1 bit). A capacidade de memoria de […]