Fabricant : LG Semicon Co., Ltd. Pays de fabrication : Numéro de pièce Corée du Sud : ? Facteur de forme : Caractéristiques SIMM : 72épingle, EDO, Capacité de mémoire sans parité : 16Bande passante Mo : 32peu de vitesse : 60ns(TRAC) Tension : 5Composition de la puce V : GM71C17400CJ6 × 8 Année / semaine de fabrication de la puce : 1998/27 Une capacité Chip : 4M […]

Fabricant : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Année de construction : 1994 Pays de fabrication : Numéro de pièce Corée du Sud : Facteur de forme HYM532100AM-70 : Type de mémoire SIMM : Capacité mémoire EDO DRAM : 4Type de bus MB : Rapide page Mémoire (FPM) Correction des erreurs : Épingles de non-parité : 72bande passante pin : 32Bit Latence : 70ns (TRAC) Tension […]

KMM591000AN-7 est composé de deux puces KM44C1000AJ-7 et d'une puce KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 est composé de deux puces KM44C1000BJ-7 et d'une puce KM44C1000CJ-7. Ce sont des SIMM DRAM de 1 Mo produits par Samsung Electronics. Entreprise de fabrication : Année de fabrication de Samsung Electronics : 1992 / 1993 Pays de fabrication : Caractéristiques du module Corée du Sud : 30épingle, SIMM, Capacité de mémoire RAM de parité […]

EDO possède un espace de mémoire temporaire pour les E / S données plus rapide. Il est efficace lorsque le système ne peut pas recevoir le cache support de la mémoire. Mais si le système dispose d'une mémoire cache, l'effet de EDO est peu. Fabricant : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Année de construction / Semaine : 1997/32 Pays de fabrication : Corée (Corée du Sud) Numéro d'article […]

Ce SIMM plaqué de couleur dorée. La couleur de placage et la forme de la carte de ce SIMM sont différentes du SIMM avec GM71C4400A. GM71C4400B est 1M × 4bit. Et GM71C1000B est 1M × 4bit. La capacité de mémoire et la fonction de ce SIMM ne sont pas différentes de celles du SIMM avec GM71C4400A et GM71C1000. Fabrication […]