Nom du produit Samsung SDRAM DDR3 PC3-10600 2 Go de mémoire (1RX8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Fabricant Samsung Electronics Pays de fabrication Chine Année de construction / semaine 2010/38 Capacité des données Vitesse 2 Go Horloge 1333Mhz (PC3-10600) Caractéristiques 240 broches, Unbuffer technologie de traitement non-ECC DIMM SDRAM DDR3 production 40nm bits de banques de données 64 bits Module interne 8 Composition de puce Données [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 frites […]

Nom du produit : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Référence : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Fabricant : ELPIDA Pays de fabrication : Taiwan Année / semaine de construction : 2010/38 Facteur de forme : Fonctionnalités DDR3 SO-DIMM : 204épingle, Capacité de mémoire non-ECC : 2Débit de données maximal en Go : 1333Tension Mbps : 1.5V Organisation : 256mots M × 64 morceaux, 2 classe la composition de la puce : J1108BFBG-DJ-F […]

EDO possède un espace de mémoire temporaire pour les E / S données plus rapide. Il est efficace lorsque le système ne peut pas recevoir le cache support de la mémoire. Mais si le système dispose d'une mémoire cache, l'effet de EDO est peu. Fabricant : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Année de construction / Semaine : 1997/32 Pays de fabrication : Corée (Corée du Sud) Numéro d'article […]

Ce SIMM plaqué de couleur dorée. La couleur de placage et la forme de la carte de ce SIMM sont différentes du SIMM avec GM71C4400A. GM71C4400B est 1M × 4bit. Et GM71C1000B est 1M × 4bit. La capacité de mémoire et la fonction de ce SIMM ne sont pas différentes de celles du SIMM avec GM71C4400A et GM71C1000. Fabrication […]

Goldstar est la marque déposée de Goldstar Electron Co., Ltd. Il a changé son nom en LG Semiconductor (LG Semicon) à 1995, et il a été fusionné dans l'industrie de l'électronique Hyundai (Hynix de maintenant) à 1999. Entreprise de fabrication : Goldstar Electron Année de fabrication: 1993 Pays de fabrication : Caractéristiques du module Corée du Sud : 30épingle, DRACHME, SIMM, RAM de parité […]