Fabricant : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Année de construction : 1994 Pays de fabrication : Numéro de pièce Corée du Sud : Facteur de forme HYM532100AM-70 : Type de mémoire SIMM : Capacité mémoire EDO DRAM : 4Type de bus MB : Rapide page Mémoire (FPM) Correction des erreurs : Épingles de non-parité : 72bande passante pin : 32Bit Latence : 70ns (TRAC) Tension […]

Cette RAM est un SIMM à 30 broches de 1 Mo produit par l'industrie de l'électronique Hyundai(Hynix de maintenant). 30-Les SIMM à broches ont été utilisés universellement depuis 80286 à 80486. Si le nombre de jetons est un nombre impair, une des puces effectue un contrôle de parité. Cette RAM est composée de deux HY514400A(1M x 4bit) et un HY531000A(1M x 1 bit). La capacité mémoire de […]