Fabricant : LG Semicon Co., Ltd. Pays de fabrication : Numéro de pièce Corée du Sud : ? Facteur de forme : Caractéristiques SIMM : 72épingle, EDO, Capacité de mémoire sans parité : 16Bande passante Mo : 32peu de vitesse : 60ns(TRAC) Tension : 5Composition de la puce V : GM71C17400CJ6 × 8 Année / semaine de fabrication de la puce : 1998/27 Une capacité Chip : 4M […]

Nom du produit Mémoire EK 2 Go DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5 Numéro de pièce EKM256S74BP8-E6 Fabricant Mémoire EK Pays de fabrication Taiwan Année de construction de la puce / semaine 2008/27 Type de module de mémoire DDR2 SO-DIMM 200 broche Capacité de données 2 Go Vitesse d'horloge 667 Mhz (PC2-5300) Synchronisation de la mémoire CL = 5, tRCD = 5, tRP = 5 Caractéristiques ordinateur portable non ECC sans tampon à 200 broches(Ordinateur portable) Bits de données de mémoire x64 Data Chip info EK20908A8A-3EG […]

Nom du produit Samsung SDRAM DDR3 de 8 Go PC3-12800 DIMM de 8 Go (2RX8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0) Fabricant Samsung Electronics Pays de fabrication Philippine Année de construction / semaine 2014/08 Capacité 8 Go de données Vitesse d'horloge 1600Mhz (PC3-12800) Moment de la mémoire CL = 11, tRCD = 11, tRP = 11 Caractéristiques 240 broches, Unbuffer DIMM SDRAM DDR3 non-ECC technologie des procédés de production 20, 30, 40nm bits de banques de données 64 bits Module interne 8 Rangs […]

Le M368L6423DTM est un peu 32M x 64 Double Data Rate(DDR) Module de mémoire à haute densité sur la base de SDRAM cinquième genernation de 256 Mo DDR SDRAM respectivement. Le M368L6423DTM se compose de seize CMOS 32M x 8 bit avec 4banks Double Data Rate SDRAMs dans 66pin TSOP-II(400mille) emballages montés sur un substrat en verre-époxy 184 broches. Quatre condensateurs de découplage de 0,1 uF sont […]

Samsung Electronics a publié des modules SDRAM DDR3 utilisant la technologie de processus de 30nm en Juillet 2010. Ce module de RAM a été faite par la technologie du procédé 40nm. Nom du produit Samsung SDRAM DDR3 PC3-10600 de 4 Go SO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) Fabricant Samsung Electronics (SECONDE) Pays de fabrication Chine Année de construction / semaine 2011/13 Capacité de données de 4 Go Vitesse d'horloge 1333Mhz (PC3-10600) Moment de la mémoire […]