Disque SSD OEM Samsung PM981 M.2 PCIe NVMe 256 Go (Contrôleur Phénix)

Samsung PM981 est le produit OEM dérivé de Samsung 970 ÉVO.

Ce disque est doté de la nouvelle V-NAND à 64 couches de Samsung et d'un contrôleur hautes performances qui offre jusqu'à 3,000 Mo/s de débit de lecture séquentielle et 270,000 IOPS en lecture aléatoire.

Le contrôleur de mémoire Samsung Polaris V2 a été utilisé dans la première version, mais le contrôleur de mémoire ARM Phoenix a été utilisé dans la dernière version.

Il a été populaire pendant un certain temps en raison de son bon rapport qualité-prix.

Nom du produit	Disque SSD OEM Samsung PM981 M.2 PCIe NVMe 256 Go
Numéro d'article	MZVLB256HAHQ-00000
Modèle	MZ-VLB2560
Année de sortie	2017
Fabricant	Samsung
Pays de fabrication	Chine
PClassification des produits	SSD interne (Disque dur)
Facteur de forme	M.2 (2280)
Interface	PCIe 3.0 (x4) (32GT/s)
Interface du contrôleur hôte	NVMe 1.2
Catacité	256GB
Octet par secteur	512Octet
Type de mémoire	Mémoire flash NAND, CCM
Structure NAND	Samsung V-NAND V4 (CCM 3D NAND, 64-couches)
DRACHME	○
Mise en cache SLC	○
Performance	– Lecture séquentielle : 3000MB / s – Écriture séquentielle : 1800MB / s – IOPS en lecture : max. 270k – IOPS pour l'écriture : max. 420k
Contrôleur de mémoire	BRAS Phénix (S4LR020 S821HNQD 1842 BRAS Phénix)
Dissipateur thermique NVMe	non inclus
UBER	< 1 secteur par 10 15 bits lus
MTBF	1.5 Millions d'heures
Température	en fonctionnement : 0°C ~ 70°C Hors fonctionnement : -40° C ~ 85 ° C
Humidité (sans condensation)	Hors fonctionnement : 5 ~ 95%
Choc linéaire	Hors fonctionnement (0.5durée ms avec 1/2 onde sinusoïdale) : 1,500 Gpeak
Vibration	Hors fonctionnement (20 ~ 2,000 Hz, Sinusoïdal) : 20 Gpeak
Ondulation/bruit de tension (max.)	100mV pp
Consommation d'énergie	– Lire (Tapez, RMS) : 5.9W – Écrire (Tapez, RMS) : 5.7W – Tourner au ralenti (Tapez) : 30mW – L1.2 (Tapez) : 5mW
Largeur	22.00 ± 0.15 mm
Longueur	80.00 ± 0.15 mm
la taille	max. 2.38 mm
Poids	max. 9.0g