Samsung 1Mo DRAM 30pin SIMM
posté par DeviceLog.com | Publié dans DRAM d'origine | Posté sur 2012-05-18
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KMM591000AN-7 est composé de deux puces KM44C1000AJ-7 et d'une puce KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 est composé de deux puces KM44C1000BJ-7 et d'une puce KM44C1000CJ-7. Ce sont des SIMM DRAM de 1 Mo produits par Samsung Electronics.
- Entreprise de fabrication : Samsung Electronics
- Année de fabrication : 1992 / 1993
- Pays de fabrication : Corée du Sud
- Caractéristiques du module : 30épingle, SIMM, RAM de parité
- Capacité mémoire : 1MB
- BandWidth : 8bit
- Fonction de vitesse : 70ns(TRAC)
- Composition de Chip :
KMM591000AN-7 = KM44C1000AJ-7 × 2 + KM44C1000CJ-7
KMM591000BN-7 = KM44C1000BJ-7 × 2 + KM44C1000CJ-7
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