Nom du produit Samsung SDRAM DDR3 PC3-10600 2 Go de mémoire (1RX8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Fabricant Samsung Electronics Pays de fabrication Chine Année de construction / semaine 2010/38 Capacité des données Vitesse 2 Go Horloge 1333Mhz (PC3-10600) Caractéristiques 240 broches, Unbuffer technologie de traitement non-ECC DIMM SDRAM DDR3 production 40nm bits de banques de données 64 bits Module interne 8 Composition de puce Données [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 frites […]

De nombreux mainboards, soutenu début CPU pentium, généralement eu des puces de mémoire cache de synchronisation comme cache L2 CPU. Ce module de synchronisation cache(Côte; Cache sur un bâton) est le module de mémoire externe utilisé en tant que cache de CPU supplémentaire L2. Il maximise la perfomance du processeur tandis que le processeur est en attente pour obtenir des instructions ou des données. Le cache L2 est utilisé pour le fonctionnement […]

Mémoire A-DATA Vitesta DDR600 Viesta, dans les modules de mémoire DDR SDRAM, d'abord atteint une vitesse d'horloge de 600 MHz avec les puces de mémoire Samsung TCCD. La capacité de données de A-data Viesta était de 512 Mo ou 256 Mo. Il était principalement utilisé pour l'ovcrclocking.   Nom du produit A-DATA Vitesta DDR600 512MB Numéro de pièce MDOSSLF3H47A0B1G0Z Fabricant A-DATA Pays de fabrication Taiwan Année de construction 2004 Caractéristiques 184pin Unbuffer […]

KMM591000AN-7 est composé de deux puces KM44C1000AJ-7 et d'une puce KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 est composé de deux puces KM44C1000BJ-7 et d'une puce KM44C1000CJ-7. Ce sont des SIMM DRAM de 1 Mo produits par Samsung Electronics. Entreprise de fabrication : Année de fabrication de Samsung Electronics : 1992 / 1993 Pays de fabrication : Caractéristiques du module Corée du Sud : 30épingle, SIMM, Capacité de mémoire RAM de parité […]

Nom du produit : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Référence : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Fabricant : ELPIDA Pays de fabrication : Taiwan Année / semaine de construction : 2010/38 Facteur de forme : Fonctionnalités DDR3 SO-DIMM : 204épingle, Capacité de mémoire non-ECC : 2Débit de données maximal en Go : 1333Tension Mbps : 1.5V Organisation : 256mots M × 64 morceaux, 2 classe la composition de la puce : J1108BFBG-DJ-F […]