Valmistaja : LG Semicon Co., Oy. Valmistusmaa : Etelä-Korean osanumero : ? Muotoseikka : SIMM-ominaisuudet : 72tappi, EDO DRAM, Ei-pariteettimuistin kapasiteetti : 16MB Kaistanleveys : 32bittinopeus : 60ns(TRAC) Jännite : 5V-sirun koostumus : GM71C17400CJ6 × 8 EK-muisti 2GB DDR2 DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 : 1998/27 Yhden sirun kapasiteetti : 4M […]

Tuotenimi EK-muisti 2GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5 Osanumero EKM256S74BP8-E6 Valmistaja EK-muisti Valmistusmaa Taiwan Sirun valmistusvuosi/viikko 2008/27 Muistimoduulin tyyppi DDR2 SO-DIMM 200 pin Datakapasiteetti 2GB Kellonopeus 667Mhz (PC2-5300) Muistin ajoitus CL=5, tRCD=5, tRP = 5 Ominaisuudet 200-nastainen puskuroimaton ei-ECC-kannettava(Kannettava tietokone) Muistin databitit x64 datasirun tiedot EK20908A8A-3EG […]

Tuotteen nimi Samsung 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM (2rX8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0) Valmistaja Samsung Electronics Valmistusmaa Filippiinien Build vuosi / viikko 2014/08 Tietojen Kapasiteetti 8GB Kellotaajuus 1600 MHz (PC3-12800) Muisti Ajoitus CL = 11, tRCD = 11, TRP = 11 Ominaisuudet 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM tuotantoprosessin tekniikkaa 20, 30, 40nm Databitit x64 Sisäiset Moduuli pankit 8 rivit […]

M368L6423DTM on 32M bitti x 64 Double Data Rate(DDR) SDRAM korkea tiheys muistimoduulin, joka perustuu viidenteen genernation 256 Mt DDR SDRAM vastaavasti. M368L6423DTM koostuu kuudestatoista CMOS-32M x 8 bittinen 4banks Double Data Rate SDRAM in 66pin TSOP-II(400tuhat) paketteja asennettu 184pin lasi-epoksi substraatti. Neljä 0.1uF irrottamista kondensaattorit ovat […]

Samsung Electronics julkaisi DDR3 SDRAM-moduulit käyttämällä 30nm prosessitekniikan heinäkuussa 2010. Tämä RAM-moduuli on tehnyt 40nm prosessitekniikan. Tuotteen nimi Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2rX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) Valmistaja Samsung Electronics (SEC) Valmistusmaa Kiina Build vuosi / viikko 2011/13 Tiedot 4 Gt Kellotaajuus 1333MHz (PC3-10600) muisti ajoitus […]