Valmistaja : LG Semicon Co., Oy. Valmistusmaa : Etelä-Korean osanumero : ? Muotoseikka : SIMM-ominaisuudet : 72tappi, EDO DRAM, Ei-pariteettimuistin kapasiteetti : 16MB Kaistanleveys : 32bittinopeus : 60ns(TRAC) Jännite : 5V-sirun koostumus : GM71C17400CJ6 × 8 EK-muisti 2GB DDR2 DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 : 1998/27 Yhden sirun kapasiteetti : 4M […]

Valmistaja : Hyundai Electronics Industries Co., Oy. Rakenna vuosi : 1994 Valmistusmaa : Etelä-Korean osanumero : HYM532100AM-70 muotokerroin : SIMM-muistin tyyppi : EDO DRAM -muistin kapasiteetti : 4MB väylätyyppi : Nopea sivumuisti (FPM) Virheen korjaus : Ei-pariteettinastat : 72pin Kaistanleveys : 32bittiviive : 70ns (TRAC) Jännite […]

KMM591000AN-7 koostuu kahdesta KM44C1000AJ-7-sirusta ja yhdestä KM44C1000CJ-7-sirusta. KMM591000BN-7 koostuu kahdesta KM44C1000BJ-7-sirusta ja yhdestä KM44C1000CJ-7-sirusta. Ne ovat 1 Mt: n DRAM-SIMM-levyjä, jotka on tuottanut Samsung Electronics. Valmistajayritys : Pysyvä linkki Samsung 1MB DRAM 30pin SIMM : 1992 / 1993 Valmistusmaa : Pysyvä linkki Samsung 1MB DRAM 30pin SIMM : 30tappi, SIMM, Pysyvä linkki Samsung 1MB DRAM 30pin SIMM […]

EDO DRAM -muistikortissa on väliaikainen muistitila nopeammalle tiedonsiirrosta. Se on tehokasta, kun järjestelmä ei voi vastaanottaa välimuistin tukea. Mutta jos järjestelmässä on välimuisti, EDO-DRAMin vaikutus on vähäinen. Valmistaja : Hyundai Electronics Industries Co., Oy. Build Vuosi / viikko : 1997/32 Valmistusmaa : Korea (Etelä-Korea) Osa numero […]