Tuotteen nimi Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB muistia (1rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Valmistaja Samsung Electronics Valmistusmaa Kiina Build vuosi / viikko 2010/38 Tietojen Kapasiteetti 2GB Kellotaajuus 1333MHz (PC3-10600) Piirteet 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM tuotantoprosessin tekniikkaa 40nm Databitit x64 sisuselementille pankkeja 8 Data siru koostumus [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 sirut […]

A-TIEDOT Vitesta DDR600 Viesta -muisti, DDR SDRAM -muistimoduuleissa, ensin saavutti 600MHz kellonopeuden Samsung TCCD -muistisirulla. A-data Viestan datakapasiteetti oli 512MB tai 256MB. Sitä käytettiin enimmäkseen ovcrclock-tilaan.   Tuotenimi A-DATA Vitesta DDR600 512MB Tuotenumero MDOSSLF3H47A0B1G0Z Valmistaja A-DATA Valmistajamaa Taiwan Rakennusvuosi 2004 Ominaisuudet 184pin puskuri […]

KMM591000AN-7 koostuu kahdesta KM44C1000AJ-7-sirusta ja yhdestä KM44C1000CJ-7-sirusta. KMM591000BN-7 koostuu kahdesta KM44C1000BJ-7-sirusta ja yhdestä KM44C1000CJ-7-sirusta. Ne ovat 1 Mt: n DRAM-SIMM-levyjä, jotka on tuottanut Samsung Electronics. Valmistajayritys : Pysyvä linkki Samsung 1MB DRAM 30pin SIMM : 1992 / 1993 Valmistusmaa : Pysyvä linkki Samsung 1MB DRAM 30pin SIMM : 30tappi, SIMM, Pysyvä linkki Samsung 1MB DRAM 30pin SIMM […]

tuotteen nimi : ELPIDA 2 Gt 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 osanumero : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Valmistaja : ELPIDA Valmistusmaa : Taiwanin rakennusvuosi / viikko : 2010/38 Muotoseikka : DDR3 SO-DIMM -ominaisuudet : 204tappi, Ei-ECC-muistikapasiteetti : 2GB enimmäisnopeus : 1333Mbps jännite : 1.5V Organisaatio : 256M sanoja × 64 bitit, 2 sijoittui Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]

EDO DRAM -muistikortissa on väliaikainen muistitila nopeammalle tiedonsiirrosta. Se on tehokasta, kun järjestelmä ei voi vastaanottaa välimuistin tukea. Mutta jos järjestelmässä on välimuisti, EDO-DRAMin vaikutus on vähäinen. Valmistaja : Hyundai Electronics Industries Co., Oy. Build Vuosi / viikko : 1997/32 Valmistusmaa : Korea (Etelä-Korea) Osa numero […]