Samsung 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (1Rx8, Txina)

Nork argitaratua DeviceLog.com | urtean argitaratua DDR3 SDRAM | An argitaratua 2013-01-09

6

Samsung DDR3 SDRAM 2GB 1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9

Product name Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB Memory (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Manufacturer Samsung Electronics Country of manufacture China Build year/week 2010/38 Data Capacity 2GB Clock speed 1333Mhz (PC3-10600) Features 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Production process technology 40nm Data bits x64 Internal Module banks 8 Data chip composition [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 txipak […]

Jarraitu Irakurtzen

UMC Sync Cache Modulua 256KB (Pipeline Burst Cachea, Kostaldea)

Nork argitaratua DeviceLog.com | urtean argitaratua SRAM | An argitaratua 2013-01-05

2

UMC Sync Cache Modulua 256KB Frontside (Pipeline Burst Cachea)

Plaka nagusi asko, Pentium CPU goiztiarra onartzen zuen, normalean sinkronizazio-cache-memoria txipak zituen CPU L2 cache gisa. Sinkronizazio-cache modulu hau(Kostaldea; Cache Makila batean) CPU L2 cache gehigarri gisa erabiltzen den kanpoko memoria modulua da. Prozesadorearen errendimendua maximizatzen du prozesadorea argibideen edo datuen zain dagoen bitartean. L2 cachea funtzionatzeko erabiltzen da […]

Jarraitu Irakurtzen

A-DATA Vitesta 512MB DDR600 DIMM (PC4800)

Nork argitaratua DeviceLog.com | urtean argitaratua DDR SDRAM | An argitaratua 2012-10-25

0

A-DATA Viesta DDR600 Viesta memoria, DDR SDRAM memoria moduluetan, lehenik, 600Mhz-ko erloju-abiadura lortu zuen Samsung TCCD memoria txipekin. A-data Viestaren datu-gaitasuna 512 MB edo 256 MB zen. Gehienbat ovcrclock egiteko erabiltzen zen.   Produktuaren izena A-DATA Vitesta DDR600 512MB Parte-zenbakia MDOSSLF3H47A0B1G0Z Fabrikatzailea A-DATA Fabrikazio-herrialdea Taiwan Eraikuntza-urtea 2004 Ezaugarriak 184pin Unbuffer […]

Jarraitu Irakurtzen

Samsung 1MB DRAM 30pin SIMM

Nork argitaratua DeviceLog.com | urtean argitaratua Jatorrizko DRAM | An argitaratua 2012-05-18

1

Samsung 1MB DRAM SIMM backside (KMM591000AN-7, KMM591000BN-7) (KM44C1000AJ-7, KM44C1000BJ-7)

KMM591000AN-7 is composed two KM44C1000AJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. KMM591000BN-7 is composed with two KM44C1000BJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. They are 1MB DRAM SIMMs produced by Samsung Electronics. Manufacturing Company : Samsung Electronics Manufactured Year : 1992 / 1993 Fabrikazio-herrialdea : South Korea Module Features : 30pin, SIMM, Parity RAM Memory Capacity […]

Jarraitu Irakurtzen

ELPIDA 2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM PC3-10600S-9-10-F1

Nork argitaratua DeviceLog.com | urtean argitaratua DDR3 SDRAM | An argitaratua 2012-03-09

6

ELPIDA DDR3 2GB 2Rx8 PC10600-9-10-F1 Frontside

produktuaren izena : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Part Number : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Manufacturer : ELPIDA Country of manufacture : Taiwan Build Year/Week : 2010/38 Forma-faktorea : DDR3 SO-DIMM Features : 204pin, Non-ECC Memory Capacity : 2GB Max Data Rate : 1333Mbps Voltage : 1.5V Organization : 256M words × 64 bits, 2 ranks Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]

Jarraitu Irakurtzen