Fabricante : LG Semicon Co., Limitado. País de fabricación : Número de parte de Corea del Sur : ? Factor de forma : Características SIMM : 72alfiler, EDO DRAM, Capacidad de memoria sin paridad : 16Ancho de banda MB : 32velocidad de bits : 60ns(TRAC) voltaje : 5Composición de chips V : GM71C17400CJ6 × 8 Año / semana de fabricación del chip : 1998/27 Un chip Capacidad : 4METRO […]

Fabricante : Hyundai Electronics Industries Co., Limitado. Año de construcción : 1994 País de fabricación : Número de parte de Corea del Sur : Factor de forma HYM532100AM-70 : Tipo de memoria SIMM : EDO DRAM Capacidad de memoria : 4MB tipo de bus : Memoria Fast Page (FPM) Error de corrección : Pines de no paridad : 72pin ancho de banda : 32latencia de bit : 70ns (TRAC) voltaje […]

KMM591000AN-7 está compuesto por dos chips KM44C1000AJ-7 y un chip KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 se compone de dos chips KM44C1000BJ-7 y un chip KM44C1000CJ-7. Son SIMM DRAM de 1 MB producidos por Samsung Electronics. Empresa de fabricación : Año de fabricación de Samsung Electronics : 1992 / 1993 País de fabricación : Características del módulo de Corea del Sur : 30alfiler, SIMM, Capacidad de memoria RAM de paridad […]

EDO DRAM tiene espacio de memoria temporal para los datos más rápidas de E / S. Es efectivo cuando el sistema no puede recibir ayuda de la memoria caché. Pero si el sistema tiene memoria caché, el efecto de EDO DRAM es poco. Fabricante : Hyundai Electronics Industries Co., Limitado. Año de la estructura / Semana : 1997/32 País de fabricación : Corea (Corea del Sur) Número de pieza […]

Este SIMM plateado con color dorado. El color de recubrimiento y la forma de tablero de esta SIMM es diferente de la SIMM con GM71C4400A. GM71C4400B es 1 M × 4 bits. Y es GM71C1000B 1 M × 4 bits. La capacidad de memoria y la función de esta SIMM no es diferente de la SIMM con GM71C4400A y GM71C1000. Fabricación […]