Nombre del producto EK Memory 2GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5 Número de pieza EKM256S74BP8-E6 Fabricante EK Memory País de fabricación Taiwán Año de fabricación del chip / semana 2008/27 Tipo de módulo de memoria DDR2 SO-DIMM 200 pin Capacidad de datos 2GB Velocidad de reloj 667Mhz (PC2-5300) Tiempo de memoria CL = 5, tRCD = 5, tRP = 5 características portátil de 200 pines sin búfer sin ECC(Ordenador portátil) Bits de datos de memoria x64 Información del chip de datos EK20908A8A-3EG […]

Nombre del producto Samsung DDR4 SDRAM de 16 GB 2R × 8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) Número de pieza M378A2K43CB1-CTD (C-la) Fabricante Samsung Electronics País de la Fabricación de China Año de construcción / Semana 2019 / 06 tipo de DIMM UDIMM de datos Capacidad 16GB Velocidad de datos (El ancho de banda máximo) 2666.67 MT / s (21333.33 MB / s) sincronización de la memoria (CL – tRCD – tRP – tRAS – TRC) 19-19-19-43-61 características 288pin, ECC sin búfer […]

Nombre del producto Samsung DDR4 SDRAM 8GB 1R × 8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) Número de pieza M378A1K43CB2-CTD (C-la) Fabricante Samsung Electronics País de la Fabricación de China Año de construcción / Semana 2018 / 28 tipo de DIMM UDIMM de datos Capacidad de 8 GB Velocidad de datos (El ancho de banda máximo) 2666.67 MT / s (21333.33 MB / s) sincronización de la memoria (CL – tRCD – tRP – tRAS – TRC) 19-19-19-43-61 características 288pin, ECC sin búfer […]

Nombre del producto : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (piezas no genuinas) número de parte : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC Fabricante : Samsung Electronics (SEGUNDO) País de fabricación : Corea del Sur Año de construcción / semana : 2003/33 Capacidad de datos : 512MB velocidad de reloj : 400Megahercio (PC3200) Caracteristicas : 184alfiler, Composición de chip de datos DDR SDRAM DDR sin ECC sin búfer : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 Datos de chips […]

Nombre del producto Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 Memory (2RX8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1) Fabricante Samsung Electronics (SEGUNDO) País de fabricación Corea del Sur Año de construcción / semana 2011/31 Capacidad de datos 4GB Velocidad de reloj 1333Mhz (PC3-10600) Temporización de memoria CL = 9, tRCD = 9, tRP = 9 Características 240pin, Unbuffer DDRM SDRAM DDR3 no ECC Bits de datos x64 Profundidad / Organización de bits 512M / Módulo interno x8 […]