Samsung 256 GB PM981 M.2 PCIe NVMe rendimiento OEM SSD (Controlador Fénix)

Samsung PM981 es el producto OEM derivado de Samsung 970 Evo.

Esta unidad cuenta con el nuevo V-NAND de 64 capas de Samsung y un controlador de alto rendimiento que ofrece hasta 3,000 MB/s de rendimiento de lectura secuencial y 270,000 IOPS de lectura aleatoria.

El controlador de memoria Samsung Polaris V2 se utilizó en la versión anterior, pero el controlador de memoria ARM Phoenix se usó en la versión posterior.

Fue popular durante un tiempo debido a su buena relación calidad-precio..

nombre del producto	Samsung 256 GB PM981 M.2 PCIe NVMe rendimiento OEM SSD
Número de pieza	MZVLB256HAHQ-00000
Modelo	MZ-VLB2560
Año de lanzamiento	2017
Fabricante	Samsung
país de fabricación	China
PAGSClasificación del producto	SSD interno (Unidad de estado sólido)
Factor de forma	M.2 (2280)
Interfaz	PCIe 3.0 (x4) (32GT / s)
Interfaz del controlador de host	NVMe 1.2
Catacidad	256GB
Byte por Sector	512Byte
Tipo de memoria	Memoria flash NAND, TLC
Estructura NAND	Samsung V-NAND V4 (TLC 3D NAND, 64-capas)
DRACMA	○
Almacenamiento en caché SLC	○
Rendimiento	– Lectura secuencial : 3000MB / s – Escritura secuencial : 1800MB / s – IOPS para lectura : Max. 270k – IOPS para escribir : Max. 420k
Controlador de memoria	BRAZO Fénix (S4LR020 S821HNQD 1842 BRAZO Fénix)
Disipador de calor NVMe	no incluido
UBER	< 1 sector por 10 15 lectura de bits
MTBF	1.5 millones de horas
La temperatura	Operando : 0°C ~ 70°C No operacional : -40° C ~ 85 ° C
Humedad (sin condensación)	No operacional : 5 ~ 95%
choque lineal	No operacional (0.5ms duración con 1/2 onda sinusoidal) : 1,500 Gpico
Vibración	No operacional (20 ~ 2,000 Hz, Sinusoidal) : 20 Gpico
Ondulación de voltaje/ruido (máx.)	100mV pp
El consumo de energía	– Leer (tipo, RMS) : 5.9W – Escribe (tipo, RMS) : 5.7W – Ocioso (tipo) : 30mW – L1.2 (tipo) : 5mW
Ancho	22.00 ± 0.15 mm
Largo	80.00 ± 0.15 mm
Altura	Max. 2.38 mm
Peso	Max. 9.0sol