publicado por DeviceLog.com | Publicado en EDO DRAM | Publicado en 2013-03-15
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- Fabricante : Hyundai Electronics Industries Co., Limitado.
- Año de construcción : 1994
- País de fabricación : Corea del Sur
- Número de pieza : HYM532100AM-70
- Factor de forma : SIMM
- tipo de memoria : EDO DRAM
- Capacidad de memoria : 4MEGABYTE
- tipo de bus : Memoria Fast Page (FPM)
- Error de corrección : Sin paridad
- Patas : 72alfiler
- Banda ancha : 32poco
- Estado latente : 70ns (TRAC)
- voltaje : 5V
- Composición de chip : [HY514400A J-70] × 8
- Un chip Capacidad : 1M x 4 bits