Samsung 4 GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM

publicado por DeviceLog.com | Publicado en DDR3 SDRAM | Publicado en 2015-03-02

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Samsung Electronics lanzó módulos DDR3 SDRAM utilizando la tecnología de proceso de 30 nm en julio 2010. Este módulo RAM fue hecho por la tecnología de proceso de 40 nm.

Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB frontal Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB parte trasera

Nombre del producto Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 SO-DIMM de 4 GB
(2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)
Fabricante Samsung Electronics (SEGUNDO)
País de fabricación China
Año de construcción / semana 2011/13
Capacidad de datos 4GB
Velocidad de reloj 1333Megahercio (PC3-10600)
sincronización de la memoria CL = 9, tRCD = 9, tRP = 9
Caracteristicas 204alfiler, SODIMM, Desactivar memoria SDRAM DDR3 sin ECC
tecnología de proceso de producción 40Nuevo Méjico
Bits de datos x64
bancos módulo interno 8
filas 2
composición chip de datos 256M x 8 * 16 pcs
componente de revisión 2Gb, C-la
Paquete 78 balón FBGA
Altura 30mm
voltaje VDD 1.5V
Caso de funcionamiento Temperatura Rango 0° C ~ 85 ° C

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comentarios (3)

Yonathan Singson dijo el 2016-11-30

Me gustaría comprar esta memoria.

Respuesta
Majid dijo el 2018-11-07

Hola,

¿Cómo puedo pedir uno de esto??

Gracias!

Respuesta
Jack Mascarenhas dijo el 2019-12-17

Estaba planeando comprar uno de este módulo

Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 SO-DIMM de 4 GB
(2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)

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