Nombre del producto Samsung SDRAM DDR3 PC3-10600 2GB de memoria (1RX8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Fabricante Samsung Electronics país de fabricación China, Año de construcción / semana 2010/38 Capacidad de datos de reloj de 2 GB 1333Mhz de velocidad (PC3-10600) características 240pin, Bits de la tecnología de proceso de retirada de búfer sin ECC DDR3 SDRAM DIMM de producción de 40nm de datos bancos x64 módulo interno 8 composición chip de datos [K4B2G0846C SEC HCH9] ✕ 8 papas fritas […]

muchas placas base, incorporados CPU Pentium temprana, por lo general tenían chips de memoria caché de sincronización como caché L2 de la CPU. Esta sincronización módulo de caché(Costa; Caché en un palillo) se módulo de memoria externo utilizado como CPU adicional caché L2. Maximiza la performance del procesador mientras que el procesador está esperando instrucciones o datos. caché de nivel 2 se utiliza para la operación […]

A-DATA Vitesta DDR600 Memoria Viesta, en módulos de memoria DDR SDRAM, En primer lugar, alcanzó una velocidad de reloj de 600Mhz con chips de memoria Samsung TCCD. La capacidad de datos de A-data Viesta era de 512 MB o 256 MB. Fue utilizado principalmente para el ovcrclocking.   Nombre del producto A-DATA Vitesta DDR600 512MB Número de pieza MDOSSLF3H47A0B1G0Z Fabricante A-DATA País de fabricación Taiwán Año de construcción 2004 Características 184pin Unbuffer […]

KMM591000AN-7 está compuesto por dos chips KM44C1000AJ-7 y un chip KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 se compone de dos chips KM44C1000BJ-7 y un chip KM44C1000CJ-7. Son SIMM DRAM de 1 MB producidos por Samsung Electronics. Empresa de fabricación : Año de fabricación de Samsung Electronics : 1992 / 1993 País de fabricación : Características del módulo de Corea del Sur : 30alfiler, SIMM, Capacidad de memoria RAM de paridad […]

nombre del producto : ELPIDA 2 GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Número de pieza : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Fabricante : ELPIDA país de fabricación : Taiwán Año de construcción / Semana : 2010/38 Factor de forma : DDR3 SO-DIMM Características : 204alfiler, Capacidad de memoria no ECC : 2GB Max Data Rate : 1333mbps Voltaje : 1.5Organización V : 256M palabras × 64 los bits, 2 ocupa el chip de Composición : J1108BFBG-DJ-F […]