Samsung 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM)

Poŝtita de DeviceLog.com | Poŝtita en DDR SDRAM | Poŝtita sur 2015-03-03

0

La M368L6423DTM estas 32M bit x 64 Duobla Datuma Imposto(DDR) SDRAM-alta denseca memormodulo surbaze de kvina generacio de 256Mb DDR SDRAM respektive. La M368L6423DTM konsistas el dek ses CMOS 32M x 8 iomete kun 4-bankaj SDRAM-duoblaj datumaj rapidoj en 66-pin TSOP-II(400unu mil) pakoj muntitaj sur 184-pingla vitro-epoksia substrato. Kvar 0.1uF-malligaj kondensiloj estas muntitaj sur la presita cirkvito paralele por ĉiu DDR SDRAM. La M368L6423DTM Dual En-Line Memory Module kaj estas destinita por muntado en 184-pinaj randaj konektilaj ingoj.

Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM) Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM)

Produkta nomo Samsung DDR SDRAM PC2700 512MB DIMM
(PC2700U-25331B2, M368L6423DTM)
Fabrikejo Samsung Elektroniko
Lando de fabrikado Koreio
Konstruu jaron / semajnon 2003/12
datumoj Kapacito 512MB
Horloĝo rapido 166Mhz (PC2700, DDR333)
Memorajtempoj CL = 2.5
Trajtoj 184pinglo, DIMM, Unbuffer Ne-ECC DDR SDRAM
Grandeco 133.35mm × 31.75mm
Bitoj de datumoj 64iom
Interna Modulo-bankoj 4
Datumoj blato komponaĵo K4H560838D-TCB3 × 16
(32M × 8bit × 16-pecetoj)
Pako TSOP-II
VDD tensio 2.5V ± 0.2V
Operaciante Case Temperaturo Gamo 0° C ~ 85 ° C

rilataj afiŝoj:

A-DATUMOJ Vitesta 512MB DDR600 DIMM (PC4800) Samsung 512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, ne-vera RAM) EKmemory 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (2RX8) Samsung 32MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S403BTN-G0) Samsung 8GB DDR3 SDRAM 2R × 8 PC3-12800U-11-12-B1 M378B1G73QH0-CK0 1408Samsung 8GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2R × 8, M378B1G73QH0-CK0) Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0)Samsung 16MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S203CTL-G0) Samsung DDR3 SDRAM 2GB 1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9Samsung 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (1RX8, Ĉinio) Samsung DDR3 4GB 2Rx8 PC3-10600U-09-11-B1 M378B5273DH0-CH9 1131Samsung 4GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (2RX8, Koreio) Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SUB-DIMM Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)Samsung 2GB DDR2 SDRAM DIMM 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7) SAMSUNG DDR4 SDRAM 8GB DIMM (1Rx8_PC4-21300, PC4-2666V-UA2-11, 1828)Samsung 8GB DDR4 SDRAM UDIMM 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD) SAMSUNG DDR4 SDRAM 16GB PC4-21300 1906Samsung 16GB DDR4 SDRAM UDIMM 2Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD) Elpida DDR3 de 2GB 2Rx8 PC10600-9-10-F1 frontsideElpida 2GB DDR3 SDRAM SUB-DIMM PC3-10600S-9-10-F1 Samsung HD154UI 1.5GBSamsung Spinpoint F2EG HD154UI 1.5TB Galaxy S4 LTE-A ③Samsung Galaxy S4 LTE-A (SHV-E330S) Samsung Galaxy S (SHW-M110S) BildoSamsaung Galaksio S (SHW-M110S) Macronix MX86200 - SiS 6202Macronix MX86200 (SiS 6202) EK Memoro 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6EK Memoro 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 LGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM antaŭflankoLG Semicon 16MB EDO-DRAM 72pin SIMM (GM71C17400CJ6) LG Semicon 16MB SDRAM DIMM PC66 (GMM2642233BLTG-10K 7101S)
Etikedoj:, , , , , , , , , , ,

Skribi komenton