Produkta nomo Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB Memoro (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Fabrikanto Samsung-Elektroniko Fabrik-lando Ĉina Konstrua jaro / semajno 2010/38 Datuma Kapacito 2GB Horloĝa rapido 1333Mhz (PC3-10600) Prezentas 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Produktada procezo-teknologio 40nm Datumaj bitoj x64 Internaj Modulaj bankoj 8 Datumoj blato komponaĵo [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 pecetoj […]

Multaj ĉeftabuloj, apogis fruan Pentium CPU, kutime havis sinkronigajn kaŝmemorpecojn kiel CPU L2-kaŝmemoro. Ĉi tiu sinkroniga kaŝmemormodulo(MARBORO; Kaŝmemoro Sur Bastono) estas ekstera memormodulo uzata kiel kroma CPU L2-kaŝmemoro. Ĝi maksimumigas la rendimenton de la procesoro dum la procesoro atendas instrukciojn aŭ datumojn. L2-kaŝmemoro estas uzata por funkcii […]

A-DATA Vitesta DDR600 Viesta Memoro, en DDR SDRAM-memormoduloj, unue atingis 600Mhz-horloĝrapidecon kun memoraj blatoj de Samsung TCCD. La datuma kapacito de A-dataj Viesta estis 512MB aŭ 256MB. Ĝi estis uzata plejparte por ovokrimado.   Produkta Nomo A-DATA Vitesta DDR600 512MB Parto-Numero MDOSSLF3H47A0B1G0Z Fabrikanto A-DATA Lando fabrikado Tajvano Konstrui Jaron 2004 Prezentas 184pin Unbuffer […]

KMM591000AN-7 is composed two KM44C1000AJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. KMM591000BN-7 is composed with two KM44C1000BJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. They are 1MB DRAM SIMMs produced by Samsung Electronics. Produktanta Kompanio : Samsung Electronics Manufactured Year : 1992 / 1993 Lando de fabrikado : Karakterizaĵoj de la Modulo de Sud-Koreio : 30pinglo, SIMM, Parity RAM Memory Capacity […]

Produkta Nomo : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Partnumero : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Fabrikisto : ELPIDA Lando de fabrikado : Tajvano Konstrua Jaro/Semajno : 2010/38 formo Faktoro : Trajtoj de DDR3 SO-DIMM : 204pinglo, Ne-ECC Memorkapacito : 2Maksimuma datumrapideco de GB : 1333Mbps Tensio : 1.5V Organizo : 256M vortojn × 64 pecoj, 2 rangigas Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]