Όνομα προϊόντος Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB Memory (1RX8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Κατασκευαστής Samsung Electronics Χώρα κατασκευής Κίνα Κατασκευή έτος / εβδομάδα 2010/38 Χωρητικότητα δεδομένων 2 GB Ταχύτητα ρολογιού 1333Mhz (PC3-10600) Διαθέτει 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Τεχνολογία διεργασίας παραγωγής 40nm Bits δεδομένων x64 Εσωτερική μονάδα 8 σύνθεση τσιπ Δεδομένων [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 τσιπ […]

όνομα προϊόντος : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Αριθμός ανταλλακτικού : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Κατασκευαστής : ΕΛΠΙΔΑ Χώρα κατασκευής : Έτος / εβδομάδα κατασκευής Ταϊβάν : 2010/38 Συντελεστής μορφής : Χαρακτηριστικά DDR3 SO-DIMM : 204καρφίτσα, Χωρητικότητα μνήμης εκτός ECC : 2Μέγιστος ρυθμός δεδομένων GB : 1333Τάση Mbps : 1.5V Οργάνωση : 256Μ λέξεις × 64 bits, 2 βαθμολογεί τη σύνθεση τσιπ : J1108BFBG-DJ-F […]

Το EDO DRAM έχει προσωρινό χώρο μνήμης για ταχύτερα δεδομένα εισόδου / εξόδου. Είναι αποτελεσματικό όταν το σύστημα δεν μπορεί να λάβει υποστήριξη μνήμης cache. Αλλά αν το σύστημα έχει μνήμη cache, η επίδραση του EDO DRAM είναι μικρή. Κατασκευαστής : Hyundai Electronics Industries Co., ΕΠΕ. Έτος Κατασκευής / Εβδομάδα : 1997/32 Χώρα παραγωγής : Κορέα (Νότια Κορέα) Κωδικός […]

Αυτό SIMM επιχρυσωμένο με χρυσό χρώμα. The plating color and the board form of this SIMM is different from the SIMM with GM71C4400A. GM71C4400B είναι 1Μ × 4bit. Και GM71C1000B είναι 1Μ × 4bit. Η χωρητικότητα της μνήμης και η λειτουργία αυτού του SIMM δεν είναι διαφορετική από την SIMM με GM71C4400A και GM71C1000. Manufacturing […]

Goldstar is the trademark of Goldstar Electron Co., ΕΠΕ. It changed its name into LG Semiconductor (LG Semicon) at 1995, and it was merged into Hyundai Electronics industry (Hynix of now) at 1999. Κατασκευαστική εταιρεία : Goldstar Electron Manufactured year: 1993 Χώρα παραγωγής : South Korea Module Features : 30καρφίτσα, ΔΡΑΜΙ, SIMM, Ισοτιμία RAM […]