Hersteller : LG SemiconCo., GmbH. Herstellungsland : Südkorea Teilenummer : ? Formfaktor : SIMM-Funktionen : 72Stift, EDO DRAM, Speicherkapazität ohne Parität : 16MB Bandbreite : 32Bit Geschwindigkeit : 60ns(tRAC) Stromspannung : 5V-Chip-Zusammensetzung : GM71C17400CJ6× 8 Chip Build Jahr / Woche : 1998/27 Ein Chip-Kapazität : 4M […]

Hersteller : Hyundai Electronics Industries Co., GmbH. Baujahr : 1994 Herstellungsland : Südkorea Teilenummer : HYM532100AM-70 Formfaktor : SIMM-Speichertyp : EDO DRAM Speicherkapazität : 4MB Bustyp : Fast Page-Speicher (FPM) Fehler Korrektur : Nicht-Paritäts-Pins : 72Pin Bandbreite : 32Bit Latenz : 70ns (tRAC) Stromspannung […]

KMM591000AN-7 ist zwei KM44C1000AJ-7-Chips zusammengesetzt ist und ein KM44C1000CJ-7-Chip. KMM591000BN-7 besteht mit zwei KM44C1000BJ-7-Chips und einem Chip-7 KM44C1000CJ. Sie sind 1MB DRAM SIMMs hergestellt von Samsung Electronics. Produktionfirma : Herstellungsjahr von Samsung Electronics : 1992 / 1993 Herstellungsland : Funktionen des Südkorea-Moduls : 30Stift, SIMM, Paritäts-RAM-Speicherkapazität […]

EDO DRAM hat temporären Speicherplatz für eine schnellere Daten-I / O. Es ist wirksam, wenn das System nicht Cache-Speicher-Unterstützung erhalten. Aber wenn die System-Cache-Speicher, die Wirkung von EDO DRAM kaum. Hersteller : Hyundai Electronics Industries Co., GmbH. Baujahr / Woche : 1997/32 Herstellungsland : Korea (Südkorea) Artikelnummer […]

Dieses SIMM ist mit goldener Farbe überzogen. Die Beschichtungsfarbe und die Platinenform dieses SIMM unterscheiden sich vom SIMM mit GM71C4400A. GM71C4400B ist 1 M × 4 Bit. Und GM71C1000B ist 1 M × 4 Bit. Die Speicherkapazität und die Funktion dieses SIMM unterscheiden sich nicht vom SIMM mit GM71C4400A und GM71C1000. Herstellung […]