Samsung Electronics veröffentlicht DDR3 SDRAM-Module der 30nm-Prozesstechnologie im Juli mit 2010. Die RAM-Modul wurde von der 40-nm-Prozesstechnologie hergestellt. Produktname Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2rx8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) Hersteller Samsung Electronics (SEC) Herstellungsland China Baujahr / Woche 2011/13 Datenkapazität 4GB Taktfrequenz 1333Mhz (PC3-10600) Speichertiming […]

Hersteller : Hyundai Electronics Industries Co., GmbH. Baujahr : 1994 Herstellungsland : Südkorea Teilenummer : HYM532100AM-70 Formfaktor : SIMM-Speichertyp : EDO DRAM Speicherkapazität : 4MB Bustyp : Fast Page-Speicher (FPM) Fehler Korrektur : Nicht-Paritäts-Pins : 72Pin Bandbreite : 32Bit Latenz : 70ns (tRAC) Stromspannung […]

Produktname : Samsung SDRAM 32MB PC66 Artikelnummer : KMM366S403BTN-G0 Hersteller : Samsung Electronics (SEC) Herstellungsland : Südkorea Baujahr / Woche : 1997/33 Datenkapazität : 32MB Taktfrequenz : 66Mhz (PC66) Eigenschaften : 168Stift, Ungepufferte Nicht-ECC SDRAM DIMM Datenchip Zusammensetzung : [KM48S2020BT-G10] ✕ 16 Chips VDD : 3.3V

Produktname : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (Nicht-Original-Teile) Artikelnummer : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC Hersteller : Samsung Electronics (SEC) Herstellungsland : Südkorea Baujahr / Woche : 2003/33 Datenkapazität : 512MB Taktfrequenz : 400Mhz (PC3200) Eigenschaften : 184Stift, Ungepufferte Nicht-ECC DDR SDRAM DIMM Daten zu : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 Chips Daten […]

Produktname : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 Hersteller : EKmemory Herstellungsland : Südkorea Datenkapazität : 2GB Taktfrequenz : 1333Mhz (PC3-10600) Eigenschaften : 240Stift, Unbuffer Non-ECC DDR3-SDRAM-DIMM-Daten-Chip Zusammensetzung : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 Chips VDD-Spannung : 1.5V Homepage : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id = Dram&no = 91