Hersteller : Hyundai Electronics Industries Co., GmbH. Baujahr : 1994 Herstellungsland : Südkorea Teilenummer : HYM532100AM-70 Formfaktor : SIMM-Speichertyp : EDO DRAM Speicherkapazität : 4MB Bustyp : Fast Page-Speicher (FPM) Fehler Korrektur : Nicht-Paritäts-Pins : 72Pin Bandbreite : 32Bit Latenz : 70ns (tRAC) Stromspannung […]

Produktname : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 Hersteller : EKmemory Herstellungsland : Südkorea Datenkapazität : 2GB Taktfrequenz : 1333Mhz (PC3-10600) Eigenschaften : 240Stift, Unbuffer Non-ECC DDR3-SDRAM-DIMM-Daten-Chip Zusammensetzung : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 Chips VDD-Spannung : 1.5V Homepage : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id = Dram&no = 91

KMM591000AN-7 ist zwei KM44C1000AJ-7-Chips zusammengesetzt ist und ein KM44C1000CJ-7-Chip. KMM591000BN-7 besteht mit zwei KM44C1000BJ-7-Chips und einem Chip-7 KM44C1000CJ. Sie sind 1MB DRAM SIMMs hergestellt von Samsung Electronics. Produktionfirma : Herstellungsjahr von Samsung Electronics : 1992 / 1993 Herstellungsland : Funktionen des Südkorea-Moduls : 30Stift, SIMM, Paritäts-RAM-Speicherkapazität […]

EDO DRAM hat temporären Speicherplatz für eine schnellere Daten-I / O. Es ist wirksam, wenn das System nicht Cache-Speicher-Unterstützung erhalten. Aber wenn die System-Cache-Speicher, die Wirkung von EDO DRAM kaum. Hersteller : Hyundai Electronics Industries Co., GmbH. Baujahr / Woche : 1997/32 Herstellungsland : Korea (Südkorea) Artikelnummer […]

Dieser RAM ist 30-Pin 1 MB SIMM hergestellt von Hyundai Electronics-Industrie(Hynix von jetzt). 30-pin SIMMs wurden allgemein aus gebrauchtem 80286 zu 80486. Wenn die Anzahl der Chips ungerade Zahl, einer der Chips durchführen Paritätsprüfung. Dieser RAM besteht aus zwei HY514400A(1M x 4 bit) und ein HY531000A(1M x 1-Bit-). Die Speicherkapazität […]