Hersteller : LG SemiconCo., GmbH. Herstellungsland : Südkorea Teilenummer : ? Formfaktor : SIMM-Funktionen : 72Stift, EDO DRAM, Speicherkapazität ohne Parität : 16MB Bandbreite : 32Bit Geschwindigkeit : 60ns(tRAC) Stromspannung : 5V-Chip-Zusammensetzung : GM71C17400CJ6× 8 Chip Build Jahr / Woche : 1998/27 Ein Chip-Kapazität : 4M […]

Produktname EK-Speicher 2 GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5 Teilenummer EKM256S74BP8-E6 Hersteller EK-Speicher Herstellungsland Taiwan Chip Baujahr / Woche 2008/27 Speichermodultyp DDR2 SO-DIMM 200 Pin Datenkapazität 2 GB Taktrate 667 MHz (PC2-5300) Speicher-Timing CL = 5, tRCD = 5, tRP = 5 Funktionen 200-poliges ungepuffertes Nicht-ECC-Notebook(Laptop) Speicherdatenbits x64 Datenchipinfo EK20908A8A-3EG […]

Produktname Samsung 8GB DDR3 SDRAM DIMM 8GB PC3-12800 (2rx8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0) Hersteller Samsung Electronics Herstellungsland Philippine Baujahr / Woche 2014/08 Datenkapazität 8GB Taktfrequenz 1600Mhz (PC3-12800) Speicher-Timing CL = 11, tRCD = 11, TRP = 11 Eigenschaften 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3-SDRAM-DIMM-Produktionsprozesstechnologie 20, 30, 40nm Datenbits x64 Interne Module Banken 8 Ranks […]

Die M368L6423DTM ist 32M Bit x 64 Doppelte Datenrate(DDR) SDRAM-Speichermodul mit hohen Dichte basierend auf fünfte genernation 256 MB DDR SDRAM jeweils. Die M368L6423DTM besteht aus sechzehn CMOS-32M x 8 Bit mit 4banks Double Data Rate-SDRAMs in 66pin TSOP-II(400tausend) Pakete montiert auf einem 184pin Glasepoxidsubstrat. Vier 0.1uF Entkopplungskondensatoren sind […]

Samsung Electronics veröffentlicht DDR3 SDRAM-Module der 30nm-Prozesstechnologie im Juli mit 2010. Die RAM-Modul wurde von der 40-nm-Prozesstechnologie hergestellt. Produktname Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2rx8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) Hersteller Samsung Electronics (SEC) Herstellungsland China Baujahr / Woche 2011/13 Datenkapazität 4GB Taktfrequenz 1333Mhz (PC3-10600) Speichertiming […]