Geschrieben von DeviceLog.com | Veröffentlicht in EDO DRAM | Veröffentlicht am 2013-03-15
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- Hersteller : Hyundai Electronics Industries Co., GmbH.
- Baujahr : 1994
- Herstellungsland : Südkorea
- Artikelnummer : HYM532100AM-70
- Formfaktor : SIMM
- Speichertyp : EDO DRAM
- Speicherkapazität : 4MB
- Bustyp : Fast Page-Speicher (FPM)
- Fehler Korrektur : Nicht-Parität
- Pins : 72Stift
- Bandbreite : 32bisschen
- Latenz : 70ns (tRAC)
- Stromspannung : 5V
- Chip-Zusammensetzung : [HY514400A J-70] × 8
- Ein Chip-Kapazität : 1M x 4 bit