Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM

Geschrieben von DeviceLog.com | Veröffentlicht in DDR3 SDRAM | Veröffentlicht am 2015-03-02

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Samsung Electronics veröffentlicht DDR3 SDRAM-Module der 30nm-Prozesstechnologie im Juli mit 2010. Die RAM-Modul wurde von der 40-nm-Prozesstechnologie hergestellt.

Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB Vorderseite Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB Hinterschäumung

Produktname Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM
(2rx8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)
Hersteller Samsung Electronics (SEC)
Herstellungsland China
Baujahr / Woche 2011/13
Datenkapazität 4GB
Taktfrequenz 1333Mhz (PC3-10600)
Speichertiming CL = 9, tRCD = 9, tRP = 9
Eigenschaften 204Stift, SODIMM, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM
Produktionsprozesstechnologie 40nm
Daten Bits x64
Interne Module Banken 8
Ranks 2
Datenchip Zusammensetzung 256M x 8 * 16 Stck
Komponente Revision 2Gb, C-die
Paket 78 Ball-FBGA
Höhe 30mm
VDD-Spannung 1.5V
Betriebsfall Temperaturbereich 0° C ~ 85 ° C

Bemerkungen (3)

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Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM
(2rx8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)

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