Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM
Geschrieben von DeviceLog.com | Veröffentlicht in DDR3 SDRAM | Veröffentlicht am 2015-03-02
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Samsung Electronics veröffentlicht DDR3 SDRAM-Module der 30nm-Prozesstechnologie im Juli mit 2010. Die RAM-Modul wurde von der 40-nm-Prozesstechnologie hergestellt.
Produktname | Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2rx8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) |
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Hersteller | Samsung Electronics (SEC) |
Herstellungsland | China |
Baujahr / Woche | 2011/13 |
Datenkapazität | 4GB |
Taktfrequenz | 1333Mhz (PC3-10600) |
Speichertiming | CL = 9, tRCD = 9, tRP = 9 |
Eigenschaften | 204Stift, SODIMM, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM |
Produktionsprozesstechnologie | 40nm |
Daten Bits | x64 |
Interne Module Banken | 8 |
Ranks | 2 |
Datenchip Zusammensetzung | 256M x 8 * 16 Stck |
Komponente Revision | 2Gb, C-die |
Paket | 78 Ball-FBGA |
Höhe | 30mm |
VDD-Spannung | 1.5V |
Betriebsfall Temperaturbereich | 0° C ~ 85 ° C |
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Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM
(2rx8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)