Enw'r cynnyrch Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB Cof (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0 - CH9 M378B5263DH1) Gwneuthurwr Samsung Electronics Gwlad gweithgynhyrchu Tsieina Adeiladu blwyddyn / wythnos 2010/38 Cynhwysedd Data Cyflymder cloc 2GB 1333Mhz (PC3-10600) Nodweddion 240pin, Unbuffer Di-ECC DDR3 SDRAM DIMM Technoleg proses gynhyrchu 40nm Darnau data x64 Banciau Modiwl Mewnol 8 Cyfansoddiad sglodion data [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 sglodion […]

Llawer o brif fyrddau, cefnogi CPU pentium cynnar, fel arfer roedd sglodion cof storfa cysoni fel storfa CPU L2. Mae'r modiwl storfa cysoni hwn(ARFORDIR; Cache Ar Ffyn) yn fodiwl cof allanol a ddefnyddir fel storfa CPU L2 ychwanegol. Mae'n gwneud y mwyaf o berfformiad y prosesydd tra bod y prosesydd yn aros am gyfarwyddiadau neu ddata. Defnyddir storfa L2 ar gyfer gweithredu […]

A-DATA Cof Viesta DDR600 Viesta, mewn modiwlau cof DDR SDRAM, yn gyntaf cyflawnwyd cyflymder cloc 600Mhz gyda sglodion cof Samsung TCCD. Cynhwysedd data A-data Viesta oedd 512MB neu 256MB. Fe'i defnyddiwyd yn bennaf ar gyfer ovcrclocking.   Enw Cynnyrch A-DATA Vitesta DDR600 512MB Rhan Rhif MDOSSLF3H47A0B1G0Z Gwneuthurwr A-DATA Gwlad gweithgynhyrchu Taiwan Adeiladu Blwyddyn 2004 Nodweddion 184pin Unbuffer […]

Mae KMM591000AN-7 yn cynnwys dau sglodyn KM44C1000AJ-7 ac un sglodyn KM44C1000CJ-7. Mae KMM591000BN-7 wedi'i gyfansoddi gyda dau sglodyn KM44C1000BJ-7 ac un sglodyn KM44C1000CJ-7. Maent yn SIMMs 1MB DRAM a gynhyrchwyd gan Samsung Electronics. Cwmni Gweithgynhyrchu : Samsung Electronics Manufactured Year : 1992 / 1993 Gwlad gweithgynhyrchu : South Korea Module Features : 30pin, SIMM, Parity RAM Memory Capacity […]

Enw Cynnyrch : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Part Number : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Manufacturer : ELPIDA Country of manufacture : Taiwan Build Year/Week : 2010/38 Ffactor Ffurf : DDR3 SO-DIMM Features : 204pin, Non-ECC Memory Capacity : 2GB Max Data Rate : 1333Mbps Voltage : 1.5V Organization : 256M geiriau × 64 darnau, 2 ranks Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]