Výrobce : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Rok sestavení : 1994 Země výroby : Jižní Korea Číslo dílu : HYM532100AM-70 Form Factor : Typ paměti SIMM : EDO DRAM Kapacita paměti : 4MB Typ sběrnice : Rychlá paměť stránky (FPM) Oprava chyb : Nesparitní kolíky : 72pin Šířka pásma : 32trochu latence : 70ns (TRAC) Napětí […]

Jméno výrobku : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 Výrobce : EKmemory Země výroby : Jižní Korea data Kapacita : 2Rychlost GB Clock : 1333Mhz (PC3-10600) Funkce : 240kolík, Čip složení Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM dat : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 čipy VDD napětí : 1.5V Úvodní : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id = dram&no = 91

KMM591000AN-7 se skládá ze dvou čipů KM44C1000AJ-7 a jednoho čipu KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 se skládá ze dvou čipů KM44C1000BJ-7 a jednoho čipu KM44C1000CJ-7. Jsou to 1 MB DRAM SIMM vyráběné společností Samsung Electronics. Manufacturing Company : Rok výroby Samsung Electronics : 1992 / 1993 Země výroby : Funkce Jižní Koreje : 30kolík, SIMM, Paritní kapacita paměti RAM […]

EDO DRAM má dočasnou paměť pro rychlejší dat I / O. Je účinný, kdy systém nemůže přijímat vyrovnávací paměti podporu. Ale v případě, že systém má vyrovnávací paměti, účinek EDO DRAM je málo. Výrobce : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Rok výroby / týden : 1997/32 Země výroby : Korea (Jižní Korea) Part Number […]

Tato RAM je 30-pinová 1MB SIMM vyráběná průmyslem Hyundai Electronics(Hynix od nynějška). 30-pin SIMMs byly univerzálně používány od 80286 na 80486. Pokud je počet žetonů liché číslo, jeden z čipů provádí kontrolu parity. Tato RAM se skládá ze dvou HY514400A(1M x 4bit) a jeden HY531000A(1M x 1bit). Kapacita paměti […]