Samsung 1 MB DRAM 30pin SIMM

Přidal DeviceLog.com | Publikováno v původní DRAM | Vloženo na 2012-05-18

1

Samsung 1 MB DRAM SIMM backside (Khann59l000an-7, KMM591000BN-7) (KM44C1000AJ-7, KM44C1000BJ-7)

Samsung 1 MB DRAM SIMM backside (Khann59l000an-7, KMM591000BN-7) (KM44C1000AJ-7, KM44C1000BJ-7)

KMM591000AN-7 se skládá ze dvou čipů KM44C1000AJ-7 a jednoho čipu KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 se skládá ze dvou čipů KM44C1000BJ-7 a jednoho čipu KM44C1000CJ-7. Jsou to 1 MB DRAM SIMM vyráběné společností Samsung Electronics.

  • Manufacturing Company : Samsung Electronics
  • Rok výroby : 1992 / 1993
  • Země výroby : Jižní Korea
  • modul obsahuje : 30kolík, SIMM, parita RAM
  • Paměťová kapacita : 1MB
  • Bandwidth : 8bit
  • rychlost Feature : 70ns(TRAC)
  • Chip Složení :
    KMM591000AN-7 = KM44C1000AJ-7 × 2 + KM44C1000CJ-7
    KMM591000BN-7 = KM44C1000BJ-7 × 2 + KM44C1000CJ-7

Související příspěvky:

Hyundai 30-pinový 1megabajt SIMM (HY514400A × 2 + HT531000A)Hyundai 1 MB DRAM 30pin SIMM Goldstar 30pin 1MB DRAM SIMM (GM71C4400A + GMC71C1000) (přední strana)Goldstar 1 MB DRAM 30pin SIMM (GM71C4400A + GMC71C1000) Goldstar 30pin 1MB DRAM SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B) (přední strana)Goldstar 1 MB DRAM 30pin SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B) Hyundai 72pin 16 MB DRAM SIMM HY5117404B (Přední strana)Hyundai 16 MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532414) Hyundai 4MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532100AM-70) Přední strana LGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMMLG Semicon 16MB EDO-DRAM 72pin SIMM (GM71C17400CJ6) Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM Samsung DDR SDRAM PC2700 256mb DIMM (M368L6423DTM)Samsung 512 MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM) Samsung 8gigabajt DDR3 SDRAM 2R x 8 PC3-12800U-11-12-B1 M378B1G73QH0-CK0 1408Samsung 8 GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2R x 8, M378B1G73QH0-CK0)
Tagy:, , , , , , , , , ,

Komentáře (1)

Účetní materiály pro samostudium řekl 2018-08-17

Ahoj. Tento článek byl opravdu fascinující, zvláště proto, že jsem si na to hledal myšlenky
předmět minulou středu.

Odpověď

Napsat komentář