fabricant : LG Semicon Co., Ltd. Païs de manufactura : Número de peça de Corea del Sud : ? Factor de forma : Característiques SIMM : 72agulla, EDO DRAM, Capacitat de memòria no paritària : 16Ample de banda MB : 32bit Velocitat : 60ns(TRAC) Voltatge : 5Composició del xip V : GM71C17400CJ6 × 8 Any/setmana de construcció de xip : 1998/27 Capacitat d'un xip : 4M […]

fabricant : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Build Year : 1994 Païs de manufactura : Número de peça de Corea del Sud : HYM532100AM-70 Form Factor : SIMM Memory type : EDO DRAM Memory Capacity : 4MB Bus type : Fast Page Memory (FPM) Error correction : Non-parity Pins : 72pin Bandwidth : 32bit Latency : 70ns (TRAC) Voltatge […]

KMM591000AN-7 es compon de dues KM44C1000AJ-7 xips i un xip KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 es compon amb dos KM44C1000BJ-7 xips i un xip KM44C1000CJ-7. Són 1 MB de DRAM SIMM produïts per Samsung Electronics. Manufacturing Company : Samsung Electronics Manufactured Year : 1992 / 1993 Païs de manufactura : South Korea Module Features : 30agulla, SIMM, Parity RAM Memory Capacity […]

EDO DRAM has temporary memory space for faster data I/O. It is effective when the system cannot receive cache memory support. But if the system has cache memory, the effect of EDO DRAM is little. fabricant : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Any de l'entitat / Setmana : 1997/32 Païs de manufactura : Corea (Corea del Sud) Nombre de peça […]