Product name Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB Memory (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Manufacturer Samsung Electronics Country of manufacture China Build year/week 2010/38 Data Capacity 2GB Clock speed 1333Mhz (PC3-10600) Features 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Production process technology 40nm Data bits x64 Internal Module banks 8 ডেটা চিপ রচনা [এসইসি HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 চিপস […]

পণ্যের নাম : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Part Number : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Manufacturer : ELPIDA Country of manufacture : Taiwan Build Year/Week : 2010/38 ফর্ম ফ্যাক্টর : DDR3 SO-DIMM Features : 204পিন, Non-ECC Memory Capacity : 2GB Max Data Rate : 1333Mbps Voltage : 1.5V Organization : 256এম শব্দ × 64 বিট, 2 ranks Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]

EDO DRAM has temporary memory space for faster data I/O. It is effective when the system cannot receive cache memory support. But if the system has cache memory, the effect of EDO DRAM is little. উত্পাদক : হুন্ডাই ইলেকট্রনিক্স ইন্ডাস্ট্রিজ কো।, লিমিটেড. বছর / week তৈরি করুন : 1997/32 প্রস্তুতকারী দেশ : কোরিয়া (দক্ষিণ কোরিয়া) অংশ সংখ্যা […]

এই SIMM সোনালি রঙের প্রলেপ দেওয়া. এই SIMM-এর প্লেটিং কালার এবং বোর্ড ফর্ম GM71C4400A সহ SIMM থেকে আলাদা. GM71C4400B হল 1M × 4bit. এবং GM71C1000B হল 1M × 4bit. GM71C4400A এবং GM71C1000 সহ এই SIMM-এর মেমরি ক্ষমতা এবং কার্যকারিতা SIMM থেকে আলাদা নয়. ম্যানুফ্যাকচারিং […]

গোল্ডস্টার হ'ল গোল্ডস্টার ইলেকট্রন কোং এর ট্রেডমার্ক is, লিমিটেড. এটি এর নাম এলজি সেমিকন্ডাক্টরে রূপান্তরিত করে (এলজি সেমিকন) at 1995, এবং এটি হুন্ডাই ইলেকট্রনিক্স শিল্পে একীভূত হয়েছিল (এখনকার হিনিক্স) at 1999. উত্পাদন কোম্পানি : গোল্ডস্টার ইলেক্ট্রন তৈরির বছর: 1993 প্রস্তুতকারী দেশ : দক্ষিণ কোরিয়া মডিউল বৈশিষ্ট্য : 30পিন, ডির্যাম, SIMM, সমতা র‌্যাম […]