স্যামসুং ইলেকট্রনিক্স জুলাই মাসে 30nm প্রক্রিয়া প্রযুক্তি ব্যবহার করে ডিডিআর 3 এসডিআরএম মডিউল প্রকাশ করে 2010. এই র‌্যাম মডিউলটি 40nm প্রক্রিয়া প্রযুক্তি দ্বারা তৈরি করা হয়েছিল. পণ্যের নাম স্যামসাং ডিডিআর 3 এসডিআরএম PC3-10600 4 জিবি এসও-ডিআইএমএম (2rx8, PC3-10600 এস-09-10-এফ 2, M471B5273CH0-CH9) প্রস্তুতকারক স্যামসুং ইলেকট্রনিক্স (এসইসি) উত্পাদনের দেশ চীন বিল্ড ইয়ার / সপ্তাহ 2011/13 ডেটা ক্যাপাসিটি 4 জিবি ক্লক স্পিড 1333 মেগাহার্টজ (PC3-10600) স্মৃতি টাইমিং […]

উত্পাদক : হুন্ডাই ইলেকট্রনিক্স ইন্ডাস্ট্রিজ কো।, লিমিটেড. বিল্ড ইয়ার : 1994 প্রস্তুতকারী দেশ : দক্ষিণ কোরিয়া পার্ট নম্বর : HYM532100AM-70 ফর্ম ফ্যাক্টর : সিমএম মেমরি টাইপ : ইডো ড্রাম মেমরির ক্ষমতা : 4এমবি বাস টাইপ : দ্রুত পৃষ্ঠা মেমরি (এফপিএম) ত্রুটি সংশোধন : অ-সমতা পিন : 72পিন ব্যান্ডউইথ : 32বিট লেটেন্সি : 70NS (TRAC) ভোল্টেজ, বৈদ্যুতিক একক বিশেষ […]

পণ্যের নাম : স্যামসাং এসডিআরএম 32 এমবি পিসি 66 পার্ট নম্বর : KMM366S403BTN-G0 উত্পাদনকারী : স্যামসাং ইলেকট্রনিক্স (এসইসি) প্রস্তুতকারী দেশ : দক্ষিণ কোরিয়া বিল্ড বছর / সপ্তাহ : 1997/33 ডেটা ক্যাপাসিটি : 32এমবি ঘড়ির গতি : 66মেগাহার্টজ (পিসি 66) বৈশিষ্ট্য : 168পিন, আনফফার্ড নন-ইসিসি এসডিআরএম ডিআইএমএম ডেটা চিপ কম্পোজিশন : [KM48S2020BT-G10] ✕ 16 চিপস ভিডিডি : 3.3ভী

পণ্যের নাম : স্যামসাং ডিডিআর এসডিআরএম 512 এমবি পিসি 3200 (অ-খাঁটি অংশ) অংশ সংখ্যা : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC উত্পাদনকারী : স্যামসাং ইলেকট্রনিক্স (এসইসি) প্রস্তুতকারী দেশ : দক্ষিণ কোরিয়া বিল্ড বছর / সপ্তাহ : 2003/33 ডেটা ক্যাপাসিটি : 512এমবি ঘড়ির গতি : 400মেগাহার্টজ (PC3200) বৈশিষ্ট্য : 184পিন, আনফফার্ড নন-ইসিসি ডিডিআর এসডিআরএম ডিআইএমএম ডেটা চিপ কম্পোজিশন : [এসইসি K4H560838E-TCCC] ✕ 8 চিপস ডেটা […]

পণ্যের নাম : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 প্রস্তুতকারক : EKmemory উৎপাদনের দেশ : দক্ষিণ কোরিয়া ডেটা ক্যাপাসিটি : 2জিবি ঘড়ির গতি : 1333মেগাহার্টজ (PC3-10600) বৈশিষ্ট্য : 240পিন, আনবাফার নন-ECC DDR3 SDRAM DIMM ডেটা চিপ রচনা : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 চিপস ভিডিডি ভোল্টেজ : 1.5V হোমপেজ : HTTP://www.ekmemory.com/bbs/view.php?আইডি = ড্রাম&কোন = 91