উত্পাদক : হুন্ডাই ইলেকট্রনিক্স ইন্ডাস্ট্রিজ কো।, লিমিটেড. বিল্ড ইয়ার : 1994 প্রস্তুতকারী দেশ : দক্ষিণ কোরিয়া পার্ট নম্বর : HYM532100AM-70 ফর্ম ফ্যাক্টর : সিমএম মেমরি টাইপ : ইডো ড্রাম মেমরির ক্ষমতা : 4এমবি বাস টাইপ : দ্রুত পৃষ্ঠা মেমরি (এফপিএম) ত্রুটি সংশোধন : অ-সমতা পিন : 72পিন ব্যান্ডউইথ : 32বিট লেটেন্সি : 70NS (TRAC) ভোল্টেজ, বৈদ্যুতিক একক বিশেষ […]

পণ্যের নাম : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 প্রস্তুতকারক : EKmemory উৎপাদনের দেশ : দক্ষিণ কোরিয়া ডেটা ক্যাপাসিটি : 2জিবি ঘড়ির গতি : 1333মেগাহার্টজ (PC3-10600) বৈশিষ্ট্য : 240পিন, আনবাফার নন-ECC DDR3 SDRAM DIMM ডেটা চিপ রচনা : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 চিপস ভিডিডি ভোল্টেজ : 1.5V হোমপেজ : HTTP://www.ekmemory.com/bbs/view.php?আইডি = ড্রাম&কোন = 91

কেএমএম591000 এএন -7 দুটি কেএম 44 সি 1000 এজে -7 চিপস এবং একটি কেএম 44 সি 1000 সিজে -7 চিপযুক্ত. KMM591000BN-7 দুটি KM44C1000BJ-7 চিপ এবং একটি KM44C1000CJ-7 চিপ দিয়ে গঠিত. সেগুলি স্যামসাং ইলেকট্রনিক্স দ্বারা উত্পাদিত 1 এমবি ড্রাম সিম রয়েছে M. উত্পাদন কোম্পানি : স্যামসাং ইলেকট্রনিক্স উত্পাদন বছর : 1992 / 1993 প্রস্তুতকারী দেশ : দক্ষিণ কোরিয়া মডিউল বৈশিষ্ট্য : 30পিন, SIMM, প্যারিটি RAM মেমরি ক্যাপাসিটি […]

EDO DRAM has temporary memory space for faster data I/O. It is effective when the system cannot receive cache memory support. But if the system has cache memory, the effect of EDO DRAM is little. উত্পাদক : হুন্ডাই ইলেকট্রনিক্স ইন্ডাস্ট্রিজ কো।, লিমিটেড. বছর / week তৈরি করুন : 1997/32 প্রস্তুতকারী দেশ : কোরিয়া (দক্ষিণ কোরিয়া) অংশ সংখ্যা […]

এই র‌্যামটি হুন্ডাই ইলেক্ট্রনিক্স শিল্প দ্বারা উত্পাদিত 30-পিন 1 এমবি সিমএম(এখনকার হিনিক্স). 30-পিন সিমগুলি সর্বজনীনভাবে ব্যবহৃত হয়েছিল 80286 প্রতি 80486. চিপের সংখ্যাটি বিজোড় সংখ্যা হলে, চিপগুলির মধ্যে একটি সমতা পরীক্ষা করে check. এই র‌্যাম দুটি HY514400A নিয়ে গঠিত(1এম এক্স 4 বিট) এবং একটি HY531000A(1এম এক্স 1 বিট). এর স্মৃতিশক্তি […]