উত্পাদক : এলজি সেমিকন কো., লিমিটেড. প্রস্তুতকারী দেশ : দক্ষিণ কোরিয়া পার্ট নম্বর : ? ফর্ম ফ্যাক্টর : সিম বৈশিষ্ট্য : 72পিন, EDO ডির্যাম, নন-প্যারিটি মেমরি ক্যাপাসিটি : 16এমবি ব্যান্ডউইথ : 32বিট গতি : 60NS(TRAC) ভোল্টেজ, বৈদ্যুতিক একক বিশেষ : 5ভি চিপ রচনা : GM71C17400CJ6 × 8 EK মেমরি 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 এর স্থায়ী লিঙ্ক : 1998/27 এক চিপ ক্ষমতা : 4এম […]

উত্পাদক : হুন্ডাই ইলেকট্রনিক্স ইন্ডাস্ট্রিজ কো।, লিমিটেড. বিল্ড ইয়ার : 1994 প্রস্তুতকারী দেশ : দক্ষিণ কোরিয়া পার্ট নম্বর : HYM532100AM-70 ফর্ম ফ্যাক্টর : সিমএম মেমরি টাইপ : ইডো ড্রাম মেমরির ক্ষমতা : 4এমবি বাস টাইপ : দ্রুত পৃষ্ঠা মেমরি (এফপিএম) ত্রুটি সংশোধন : অ-সমতা পিন : 72পিন ব্যান্ডউইথ : 32বিট লেটেন্সি : 70NS (TRAC) ভোল্টেজ, বৈদ্যুতিক একক বিশেষ […]

কেএমএম591000 এএন -7 দুটি কেএম 44 সি 1000 এজে -7 চিপস এবং একটি কেএম 44 সি 1000 সিজে -7 চিপযুক্ত. KMM591000BN-7 দুটি KM44C1000BJ-7 চিপ এবং একটি KM44C1000CJ-7 চিপ দিয়ে গঠিত. সেগুলি স্যামসাং ইলেকট্রনিক্স দ্বারা উত্পাদিত 1 এমবি ড্রাম সিম রয়েছে M. উত্পাদন কোম্পানি : স্যামসাং ইলেকট্রনিক্স উত্পাদন বছর : 1992 / 1993 প্রস্তুতকারী দেশ : দক্ষিণ কোরিয়া মডিউল বৈশিষ্ট্য : 30পিন, SIMM, প্যারিটি RAM মেমরি ক্যাপাসিটি […]

EDO DRAM has temporary memory space for faster data I/O. It is effective when the system cannot receive cache memory support. But if the system has cache memory, the effect of EDO DRAM is little. উত্পাদক : হুন্ডাই ইলেকট্রনিক্স ইন্ডাস্ট্রিজ কো।, লিমিটেড. বছর / week তৈরি করুন : 1997/32 প্রস্তুতকারী দেশ : কোরিয়া (দক্ষিণ কোরিয়া) অংশ সংখ্যা […]