Product name Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB Memory (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Manufacturer Samsung Electronics Country of manufacture China Build year/week 2010/38 Data Capacity 2GB Clock speed 1333Mhz (PC3-10600) Features 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Production process technology 40nm Data bits x64 Internal Module banks 8 ডেটা চিপ রচনা [এসইসি HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 চিপস […]

এ-ডেটা ভিয়েস্তা ডিডিআর600 ভিয়েস্তা মেমরি, DDR SDRAM মেমরি মডিউলে, স্যামসাং TCCD মেমরি চিপ দিয়ে প্রথমে 600Mhz ঘড়ির গতি অর্জন করেছে. A-ডেটা ভিয়েস্তার ডেটা ক্ষমতা ছিল 512MB বা 256MB৷. এটি বেশিরভাগ ওভারক্লকিংয়ের জন্য ব্যবহৃত হত.   Product Name A-DATA Vitesta DDR600 512MB Part Number MDOSSLF3H47A0B1G0Z Manufacturer A-DATA Country of manufacture Taiwan Build Year 2004 Features 184pin Unbuffer […]

কেএমএম591000 এএন -7 দুটি কেএম 44 সি 1000 এজে -7 চিপস এবং একটি কেএম 44 সি 1000 সিজে -7 চিপযুক্ত. KMM591000BN-7 দুটি KM44C1000BJ-7 চিপ এবং একটি KM44C1000CJ-7 চিপ দিয়ে গঠিত. সেগুলি স্যামসাং ইলেকট্রনিক্স দ্বারা উত্পাদিত 1 এমবি ড্রাম সিম রয়েছে M. উত্পাদন কোম্পানি : স্যামসাং ইলেকট্রনিক্স উত্পাদন বছর : 1992 / 1993 প্রস্তুতকারী দেশ : দক্ষিণ কোরিয়া মডিউল বৈশিষ্ট্য : 30পিন, SIMM, প্যারিটি RAM মেমরি ক্যাপাসিটি […]

পণ্যের নাম : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Part Number : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Manufacturer : ELPIDA Country of manufacture : Taiwan Build Year/Week : 2010/38 ফর্ম ফ্যাক্টর : DDR3 SO-DIMM Features : 204পিন, Non-ECC Memory Capacity : 2GB Max Data Rate : 1333Mbps Voltage : 1.5V Organization : 256এম শব্দ × 64 বিট, 2 ranks Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]

EDO DRAM has temporary memory space for faster data I/O. It is effective when the system cannot receive cache memory support. But if the system has cache memory, the effect of EDO DRAM is little. উত্পাদক : হুন্ডাই ইলেকট্রনিক্স ইন্ডাস্ট্রিজ কো।, লিমিটেড. বছর / week তৈরি করুন : 1997/32 প্রস্তুতকারী দেশ : কোরিয়া (দক্ষিণ কোরিয়া) অংশ সংখ্যা […]