Име на продукта SanDisk Ultra 128GB микро SDXC UHS-I Card с адаптер Модел име SQUNC-128G-GN6MA Производител SanDisk Държава на производство Китай Форма фактор microSDXC NAND флаш тип TLC любимци напрежение 2.7 ~ 3.3 капацитет V Данни 128 GB (119.052734375 GiB, 121910 MIB, 127,831,900,160 байта) Основна файлова система exFAT формат Скорост на четене: Max. 80 MB / сек (533х) Температурен диапазон […]

Име на продукта Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2R × 8 PC2-6400 Номер M378T5663QZ3-CF7 Производител Samsung Electronics страната на производство Китай Build Година / Седмица 2009/04, 2010/07 Капацитет на модулите памет тип DIMM Data 2GB Тактова честота 800Mhz (PC2-6400) Времето памет CL = 6, tRCD = 6, Trp = 6 Параметри 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR2 SDRAM DIMM бита данни x64 вътрешния модул Банки 8 звания 2 Данни […]

Lite-On 56Kbps комутируема вътрешен PCI модем (Agere Systems International Softmodem) Номер на модела D-единадесет хиляди петстотин шестдесет и една # / А1А (4491А-D1156A1A) Производител Lite-On Technology Corp. / Agere Systems Държава на производство Китай интерфейс PCI Чипсет Agere Systems SV92PL-T00 - Интегрирана PCI интерфейс с 5-V толерантни буфери и CardBus подкрепа Мощност • Изисква 3,3-V допълнителна мощност железопътен на PCI шина • употреби […]

Samsung Electronics пусна DDR3 SDRAM модули, използващи технологията на процеса на 30nm през юли 2010. Това RAM модул е ​​направен от технологията процес 40nm. Име на продукта Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) Производител Samsung Electronics (SEC) Държава на производство Китай Build година / седмица 2011/13 Капацитет Data 4GB 1333MHz часовник скорост (PC3-10600) Времето на паметта […]

Име на продукта Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB памет (1RX8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Производител Samsung Electronics Държава на производство Китай Build година / седмица 2010/38 Капацитет Data 2GB тактова честота 1333MHz (PC3-10600) Характеристики 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Производствен процес технология 40nm битове с данни x64 вътрешния модул банки 8 Данните чип състав [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 чипс […]