Публикувано от DeviceLog.com | Публикувано в EDO DRAM | публикувано на 2013-03-15
0
- Производител : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.
- Изграждане година : 1994
- Страна на производство : Южна Кореа
- Номер на частта : HYM532100AM-70
- Form Factor : SIMM
- тип памет : EDO DRAM
- капацитет на паметта : 4MB
- тип Автобус : Fast Page Memory (FPM)
- Корекция на грешка : Non-паритет
- Pins : 72щифт
- Bandwidth : 32малко
- латентност : 70НЧ (Trac)
- Волтаж : 5V
- Chip Състав : [HY514400A J-70] × 8
- Един Chip Капацитет : 1М х 4bit