Samsung 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM)

Публикувано от DeviceLog.com | Публикувано в DDR SDRAM | публикувано на 2015-03-03

0

В M368L6423DTM е 32M битова х 64 Двойна Data Rate(DDR) SDRAM памет модул с висока плътност на основата на петата genernation на 256Mb DDR SDRAM съответно. В M368L6423DTM се състои от шестнадесет CMOS 32M х 8 малко с 4banks Двойна Data Rate SDRAMs в 66pin TSOP-II(400хиляда) пакети, монтирани върху 184pin стъкло-епокси субстрат. Четири 0.1uF отделяне кондензатори са монтирани на печатната платка в паралел за всеки DDR SDRAM. В M368L6423DTM двоен линеен памет модул и е предназначен за монтиране в гнезда 184pin край съединител.

Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM) Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM)

Име на продукта Samsung DDR SDRAM PC2700 512MB DIMM
(PC2700U-25331B2, M368L6423DTM)
Производител Samsung Electronics
Страна на производство Корея
Изграждане година / седмица 2003/12
капацитет на данни 512MB
Тактова честота 166Mhz (PC2700, DDR333)
Времето на паметта CL = 2.5
Характеристика 184щифт, DIMM, Unbuffer Non-ECC DDR SDRAM
размер 133.35mm х 31.75mm
бита за данни 64малко
Вътрешният модул за банките 4
Данните чип състав K4H560838D-TCB3 × 16
(32М х 8-битов х 16chips)
Пакет TSOP-II
VDD напрежение 2.5V ± 0.2V
Работна дело температурен диапазон 0° C ~ 85 ° С

Подобни публикации:

A-DATA Vitesta 512 DDR600 DIMM (PC4800) Samsung 512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, неоригинално RAM) EKmemory 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333MHz (2RX8) Samsung 32MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S403BTN-G0) Samsung 8 GB DDR3 SDRAM 2R х 8 PC3-12800U-11-12-В1 M378B1G73QH0-CK0 1408Samsung 8GB DDR3 PC3-12800 SDRAM DIMM (2R 8 х, M378B1G73QH0-CK0) Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0)Samsung 16MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S203CTL-G0) Samsung DDR3 SDRAM 2GB 1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9Samsung 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333MHz (1RX8, Китай) Samsung DDR3 4GB 2Rx8 PC3-10600U-09-11-В1 M378B5273DH0-CH9 1131Samsung 4GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333MHz (2RX8, Корея) Samsung 4GB DDR3 PC3-10600 SDRAM SO-DIMM Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)Samsung 2GB DDR2 SDRAM DIMM 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7) SAMSUNG DDR4 SDRAM DIMM 8GB (1Rx8_PC4-21300, PC4-2666V-UA2-11, 1828)Samsung 8GB DDR4 SDRAM UDIMM 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD) SAMSUNG DDR4 SDRAM 16 GB PC4-21300 1906Samsung 16GB DDR4 SDRAM UDIMM 2Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD) ЕЛПИДА DDR3 2 GB 2Rx8 PC10600-9-10-F1 ФронтсайдElpida 2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM PC3-10600S-9-10-F1 Samsung HD154UI 1.5GBSamsung SpinPoint F2EG HD154UI 1.5TB Galaxy S4 LTE-A ③Samsung Galaxy S4 LTE-A (SHV-E330S) Samsung Galaxy S (SHW-M110S) снимкаSamsaung Galaxy S (SHW-M110S) Macronix MX86200 - SiS 6202Macronix MX86200 (SiS 6202) EK памет 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6EK памет 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 LGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM лицева странаLG Semicon 16MB EDO-DRAM 72pin SIMM (GM71C17400CJ6) LG Semicon 16MB SDRAM DIMM PC66 (GMM2642233BLTG-10K 7101S)
Tags:, , , , , , , , , , ,

Напиши коментар