Име на продукта Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB памет (1RX8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Производител Samsung Electronics Държава на производство Китай Build година / седмица 2010/38 Капацитет Data 2GB тактова честота 1333MHz (PC3-10600) Характеристики 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Производствен процес технология 40nm битове с данни x64 вътрешния модул банки 8 Данните чип състав [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 чипс […]

A-DATA Vitesta DDR600 памет Viesta, в памет DDR SDRAM модули, първо постига 600Mhz тактова честота с Samsung TCCD чипове памет. Капацитетът на данните на А-данни Viesta е 512 или 256. Той е бил използван най-вече за ovcrclocking.   Име на продукта A-DATA Vitesta DDR600 512MB Номер MDOSSLF3H47A0B1G0Z Производител A-DATA Държава на производство Тайван Build Година 2004 Особености 184pin Unbuffer […]

KMM591000AN-7 се състои две KM44C1000AJ-7 чипове и един KM44C1000CJ-7 чип. KMM591000BN-7 се състои от две KM44C1000BJ-7 чипове и един KM44C1000CJ-7 чип. Те са 1MB DRAM SIMM модули, произведени от Samsung Electronics. Производствена компания : Година на производство на Samsung Electronics : 1992 / 1993 Страна на производство : Характеристики на модула в Южна Корея : 30щифт, SIMM, Капацитет на паритетната RAM памет […]

Име на продукта : ЕЛПИДА 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Номер : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Производител : ЕЛПИДА Държава на производство : Тайван Build Година / Седмица : 2010/38 Form Factor : DDR3 SO-DIMM функции : 204щифт, Капацитет Non-ECC памет : 2GB Max Data Rate : 1333Mbps напрежение : 1.5V Организация : 256M думи × 64 бита, 2 нарежда Chip Състав : J1108BFBG-DJ-F […]

EDO DRAM има временна памет за по-бързи данни I / O. Той е ефективен, когато системата не може да получава подкрепа кеш памет. Но ако системата има кеш памет, ефекта от EDO DRAM е малко. Производител : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Изграждане година / Седмица : 1997/32 Страна на производство : Корея (Южна Кореа) Номер на частта […]