Назва прадукту : Samsung 16MB SDRAM 16MB PC66 Нумар дэталі : KMM366S203CTL-G0 Вытворца : Кампанія Samsung Electronics, ТАА. (SEC) Краіна вытворца : Паўднёвая Карэя Будаўніцтва год/тыдзень : 1998/09 Ёмістасць дадзеных : 16МБ Тактавая частата : 66МГц (ПК66) Асаблівасці : 168 шпілька, Небуферызаваны Non-ECC SDRAM DIMM Склад чыпа дадзеных : [KM48S2020CT-G10] × 8 чыпсы (2М […]

Назва прадукту : LG SDRAM 16MB PC66 Нумар дэталі : GMM2642233BLTG-10K 7101S Вытворца : Кампанія LG Semicon Co., ТАА. Краіна вытворца : Паўднёвая Карэя Будаўніцтва год/тыдзень : 1997/03 Ёмістасць дадзеных : 16МБ Тактавая частата : 66МГц (ПК66) Асаблівасці : 168шпілька, Небуферызаваны Non-ECC SDRAM DIMM Склад чыпа дадзеных : [GM72V16821BT10K] × 8 чыпсы (2М × 64 біта) адзін […]

Назва прадукту EK Memory 2GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5 Нумар дэталі EKM256S74BP8-E6 Вытворца EK Memory Краіна вытворчасці Тайвань Зборка мікрасхемы Год/тыдзень 2008/27 Тып модуля памяці DDR2 SO-DIMM 200 кантактны Ёмістасць дадзеных 2GB Тактавая частата 667Mhz (ПК2-5300) Час памяці CL=5, tRCD=5, tRP=5 Мае 200-кантактны небуферызаваны ноўтбук без ECC(Ноўтбук) Інфармацыя аб чыпе дадзеных памяці x64 EK20908A8A-3EG […]

Назва прадукту Samsung DDR4 SDRAM 16GB 2R×8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) Нумар дэталі M378A2K43CB1-CTD (C-памерці) Вытворца Samsung Electronics Краіна вытворцы Кітай Год/тыдзень зборкі 2019 / 06 Тып DIMM UDIMM Ёмістасць дадзеных 16GB Хуткасць перадачы дадзеных (Максімальная прапускная здольнасць) 2666.67 МТ/с (21333.33 МБ/с) Час памяці (CL – тУЗД – тРП – пасля – тРК) 19-19-19-43-61 Асаблівасці 288pin, Не-ECC unbuffer […]

Назва прадукту Samsung DDR4 SDRAM 8GB 1R×8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) Нумар дэталі M378A1K43CB2-CTD (C-памерці) Вытворца Samsung Electronics Краіна вытворцы Кітай Год/тыдзень зборкі 2018 / 28 Тып DIMM UDIMM Ёмістасць дадзеных 8 ГБ Хуткасць перадачы дадзеных (Максімальная прапускная здольнасць) 2666.67 МТ/с (21333.33 МБ/с) Час памяці (CL – тУЗД – тРП – пасля – тРК) 19-19-19-43-61 Асаблівасці 288pin, Не-ECC unbuffer […]