Вытворца : Кампанія LG Semicon Co., ТАА. Краіна вытворца : Нумар дэталі Паўднёвай Карэі : ? Формаў-фактар : Функцыі SIMM : 72шпілька, EDO DRAM, Ёмістасць памяці без цотнасці : 16Прапускная здольнасць МБ : 32біт Хуткасць : 60нс(тРАЦ) Напруга : 5V Чып склад : GM71C17400CJ6 × 8 Год/тыдзень зборкі чыпа : 1998/27 Ёмістасць аднаго чыпа : 4М […]

Вытворца : Hyundai Electronics Industries Co., ТАА. Год пабудовы : 1994 Краіна вытворца : Нумар дэталі Паўднёвай Карэі : Формаў-фактар ​​HYM532100AM-70 : Тып памяці SIMM : Ёмістасць памяці EDO DRAM : 4MB Тып шыны : Хуткая памяць старонак (FPM) Выпраўленне памылак : Непаритетные шпількі : 72шпілька Прапускная здольнасць : 32біт Затрымка : 70нс (тРАЦ) Напруга […]

KMM591000AN-7 складаецца з двух чыпаў KM44C1000AJ-7 і аднаго чыпа KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 складаецца з двух чыпаў KM44C1000BJ-7 і аднаго чыпа KM44C1000CJ-7. Гэта модулі DRAM SIMM памерам 1 МБ вытворчасці Samsung Electronics. Вытворчая кампанія : Год выпуску Samsung Electronics : 1992 / 1993 Краіна вытворца : Асаблівасці модуля Паўднёвай Карэі : 30шпілька, SIMM, Парытэт Аб'ём аператыўнай памяці […]

EDO DRAM мае часовую памяць для больш хуткага ўводу/вываду дадзеных. Гэта эфектыўна, калі сістэма не можа атрымаць падтрымку кэш-памяці. Але калі ў сістэме ёсць кэш-памяць, эфект ад EDO DRAM невялікі. Вытворца : Hyundai Electronics Industries Co., ТАА. Год зборкі/тыдзень : 1997/32 Краіна вытворца : Карэя (Паўднёвая Карэя) Частка нумар […]