Назва прадукту : Samsung 16MB SDRAM 16MB PC66 Нумар дэталі : KMM366S203CTL-G0 Вытворца : Кампанія Samsung Electronics, ТАА. (SEC) Краіна вытворца : Паўднёвая Карэя Будаўніцтва год/тыдзень : 1998/09 Ёмістасць дадзеных : 16МБ Тактавая частата : 66МГц (ПК66) Асаблівасці : 168 шпілька, Небуферызаваны Non-ECC SDRAM DIMM Склад чыпа дадзеных : [KM48S2020CT-G10] × 8 чыпсы (2М […]

Назва прадукту : LG SDRAM 16MB PC66 Нумар дэталі : GMM2642233BLTG-10K 7101S Вытворца : Кампанія LG Semicon Co., ТАА. Краіна вытворца : Паўднёвая Карэя Будаўніцтва год/тыдзень : 1997/03 Ёмістасць дадзеных : 16МБ Тактавая частата : 66МГц (ПК66) Асаблівасці : 168шпілька, Небуферызаваны Non-ECC SDRAM DIMM Склад чыпа дадзеных : [GM72V16821BT10K] × 8 чыпсы (2М × 64 біта) адзін […]

Вытворца : Кампанія LG Semicon Co., ТАА. Краіна вытворца : Нумар дэталі Паўднёвай Карэі : ? Формаў-фактар : Функцыі SIMM : 72шпілька, EDO DRAM, Ёмістасць памяці без цотнасці : 16Прапускная здольнасць МБ : 32біт Хуткасць : 60нс(тРАЦ) Напруга : 5V Чып склад : GM71C17400CJ6 × 8 Год/тыдзень зборкі чыпа : 1998/27 Ёмістасць аднаго чыпа : 4М […]

EDO DRAM мае часовую памяць для больш хуткага ўводу/вываду дадзеных. Гэта эфектыўна, калі сістэма не можа атрымаць падтрымку кэш-памяці. Але калі ў сістэме ёсць кэш-памяць, эфект ад EDO DRAM невялікі. Вытворца : Hyundai Electronics Industries Co., ТАА. Год зборкі/тыдзень : 1997/32 Краіна вытворца : Карэя (Паўднёвая Карэя) Частка нумар […]